TDD模式下Rx對Tx的嚴重影響怎么解決

很難想象TDD模式下Rx對Tx造成了嚴重影響，若不是親眼所見，我也是完全不相信的，按道理說這種事情只能發(fā)生在FDD模式下。近期在為朋友解決一款5.8GHz大功率無線網(wǎng)橋的射頻問題時，發(fā)現(xiàn)Chain0的部分信道EVM很差，不開全包的情況下，MCS7只能測到-26~-27dB，即使開了全包，也只是勉強達到-29dB，僅能通過產(chǎn)測，但余量實在太小，無法保證產(chǎn)測直通率，這顯然是不行的。

首先詢問朋友板卡樣品階段是否存在這樣的問題，朋友的回答與我的猜想一致，不存在。秉著認真負責的態(tài)度，對朋友的原理圖及PCB進行仔細分析，沒看出什么致命的問題（朋友的射頻工程師也是經(jīng)驗十分豐富的那種，比我的工作時間還要長）。好吧，沒什么可以進一步可以分析的，開始測板子。

使用ART2軟件，并配合Liepoint IQview對Chain0各頻段的MCS7速率進行測試，果然如朋友所述，部分信道EVM極差。開始嘗試使用筆者提出的分段測試法（這肯定不是筆者首先使用的，但貌似沒有人這樣稱呼）。

測試WiFi收發(fā)器的輸出端：發(fā)現(xiàn)低頻段輸出功率為-8dBm時，EVM可以達到-32~-33dB（未開全包），加上PA的32dB增益，完全可以實現(xiàn)20dBm的天線口輸出功率，并具有合格的EVM，可以排除WiFi收發(fā)器芯片的原理及PCB設計問題，那么就只剩下PA與RF Switch了。

測試PA的輸出端：發(fā)現(xiàn)和預期的一致，輸出功率22dBm時，EVM可以達到-30~-31dB（未開全包），完全能夠滿足要求。這樣又排除了PA的問題，只剩下RF Switch了。

仔細核對RF Switch的原理圖及器件的Marking Code，發(fā)現(xiàn)所用RF Switch的規(guī)格完全符合要求，且PCB也完全正確。但是當把饋線連接在天線口處，測到的EVM完全是另外一種狀態(tài)，真是讓人費解。

思考了很久，也沒有想清楚還有什么可能的原因會造成這種情況。無奈之下，開始動用觸摸大法（同樣地，這也不是筆者首先使用的，但貌似沒有人這樣稱呼）。所謂的觸摸大法就是用手指觸摸板卡上的走線與器件，看看能否對射頻指標造成影響，例如，用手指觸摸WiFi收發(fā)器芯片的輸出，一定會造成天線口輸出功率的下降。用手指隨意觸碰Chain0的射頻電路，突然發(fā)現(xiàn)手指位于某區(qū)域時會提升EVM！逐漸縮小觸摸范圍，發(fā)現(xiàn)當手指按在LNA上會得到非常好的EVM。

經(jīng)過朋友允許，在此給出PCB的部分射頻走線。

發(fā)現(xiàn)問題所在的位置之后，就是想辦法解決問題。

斷開RF Switch與Rx電路之間的隔直電容，發(fā)現(xiàn)與此前用手指觸摸的結果類似，更加確認是Rx電路對Tx EVM造成了影響。根據(jù)已有經(jīng)驗推測，應該是RF Switch隔離度不夠，使得大功率Tx信號中的一部分泄露至LNA，并透過LNA經(jīng)由空間耦合至PA輸入端，使得PA最終的輸出信號錯亂，EVM變差。為了驗證這個想法，使用一顆49.9ohm的電阻接在LNA的輸出端與GND之間，再次測試，EVM非常好。

最后給朋友的解決方案是：Rx路徑上再增加一顆RF Switch，增大Tx/Rx隔離度。朋友進行原理圖，PCB設計變更并重新進行小批量試產(chǎn)，問題徹底解決，全包情況下，EVM可以達到-34~-35dB，完全滿足生產(chǎn)要求。

原理框圖