9月10日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡稱“耐威科技”)發(fā)布公告稱,公司控股子公司聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡稱“聚能晶源”)投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目(一期)已達(dá)到投產(chǎn)條件,于2019年9月10日正式投產(chǎn)。聚能晶源于同日舉辦了“8英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)暨產(chǎn)品發(fā)布儀式”。從入駐到項(xiàng)目建成投產(chǎn),聚能晶源僅僅用了一年多的時間。
國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)顯示,聚能晶源成立于2018年6月,注冊資本5000萬元,由北京耐威科技股份有限公司、青島海絲民合半導(dǎo)體投資中心、青島民芯投資中心與袁理博士技術(shù)團(tuán)隊(duì)共同投資成立的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)與制造企業(yè),其中耐威科技持股40%,青島海絲民和持股24%,袁理持股20%,青島民芯持股16%。主要從事半導(dǎo)體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)。
根據(jù)耐威科技此前公告,聚能晶源預(yù)計(jì)本項(xiàng)目投資總額不少于約2億元人民幣:2018年年底前投資總額不低于5000萬元人民幣,2020年底前投資總額不低于1.5億元人民幣。未來產(chǎn)品線將覆蓋功率與微波器件應(yīng)用,打造世界級氮化鎵(GaN)材料公司,項(xiàng)目主要產(chǎn)品有面向功率器件應(yīng)用的氮化鎵(GaN)外延片,以及面向微波器件應(yīng)用的氮化鎵(GaN)外延片等。
耐威科技指出,聚能晶源項(xiàng)目已投資5,200萬元人民幣,項(xiàng)目一期建成產(chǎn)能為年產(chǎn)1萬片6-8英寸GaN外延晶圓,既可生產(chǎn)提供標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的GaN外延晶圓,也可根據(jù)客戶需求開發(fā)、量產(chǎn)定制化外延晶圓,項(xiàng)目的投產(chǎn)將有利于聚能晶源正式進(jìn)入并不斷開拓第三代半導(dǎo)體材料市場,同時有利于公司GaN功率與微波器件設(shè)計(jì)開發(fā)業(yè)務(wù)的發(fā)展,最終增強(qiáng)公司在第三代半導(dǎo)體及物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的綜合競爭實(shí)力。據(jù)了解,聚能晶源項(xiàng)目已經(jīng)被評為青島市重點(diǎn)項(xiàng)目。
耐威科技董事長楊云春介紹,耐威科技自上市以來,積極在物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域進(jìn)行布局,重點(diǎn)發(fā)展MEMS和GaN業(yè)務(wù);其中在GaN領(lǐng)域,耐威科技在即墨投資設(shè)立了聚能晶源公司,專注GaN外延材料的研發(fā)生長;在嶗山投資設(shè)立了聚能創(chuàng)芯公司,專注GaN器件的開發(fā)設(shè)計(jì)。
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