五款單按鍵開關(guān)機(jī)電路圖分享

單按鍵開關(guān)機(jī)電路圖（一）

本例電路可實(shí)現(xiàn)通過(guò)按一次按鍵S1實(shí)現(xiàn)開機(jī)，再按一次S1實(shí)現(xiàn)關(guān)機(jī)的功能。

整個(gè)電路的工作過(guò)程：

電路中連接器P1是一個(gè)電源連接器，電源+從1，2腳輸入，電源地從3，4腳輸入。

電路上電后，P-MOS管Q1的G極和S極都是為高電平，所以Q1處于截止?fàn)顟B(tài)，VCC出沒(méi)有電源輸出。同時(shí)，電容C2通過(guò)電源，電阻R2，電阻R4充電。C2上的電壓會(huì)慢慢上升。

當(dāng)按下開關(guān)S1時(shí)，電容C2上的電壓加在三極管Q2的基極上，使Q2飽和導(dǎo)通。此時(shí)PMOS管Q1的G極被三極管Q2拉低至低電平，使MOS管的GS電壓為負(fù)，Q1導(dǎo)通。連接器P1輸入的電源通過(guò)MOS管，二極管D2輸出至VCC。同時(shí)經(jīng)過(guò)反饋電阻R1，將輸出的電源電壓加至三極管Q2的基極，維持Q2導(dǎo)通。

所以，這個(gè)時(shí)候即使按鍵S1松開，電路也會(huì)保持在開機(jī)狀態(tài)，這就是自鎖的作用。

電路開機(jī)后，電容C2通過(guò)二極管D1，三極管Q2完全放電，使C2上的電壓為低電平。為電路關(guān)機(jī)做準(zhǔn)備。

需要關(guān)機(jī)時(shí)，按下開關(guān)S1，電容C2上的低電平電壓拉低Q2的基極電壓，使Q2截止。這樣Q1的G極又恢復(fù)高電平，MOS管GS間的電壓不再能夠維持Q1的導(dǎo)通，所以Q1也截止，切斷電源通路，電路關(guān)機(jī)。

注意：

本例電路開機(jī)是沒(méi)有問(wèn)題的，但是在關(guān)機(jī)時(shí)，電容C2上的電壓不會(huì)是0，它是二極管D1的壓降+三極管Q2的飽和管壓降。所以，如果這個(gè)電壓大于0.7V的話，就很難使電路關(guān)機(jī)。

因此，二極管D1和三極管Q2的選型有一定的要求。

單按鍵開關(guān)機(jī)電路圖（二）

本例電路可通過(guò)開關(guān)S1實(shí)現(xiàn)開關(guān)機(jī)。按第一次時(shí)開機(jī)，第二次關(guān)機(jī)。

整個(gè)電路的工作過(guò)程：

我們先看電路初始狀態(tài)：

當(dāng)電路上電，開關(guān)S1還未按下時(shí)。Q1是截止的，Vout沒(méi)有輸出。電容C2上的電壓為低電平。三極管Q2也是截止的。

當(dāng)開關(guān)S1按下時(shí)，由于電容C2上的電壓為低電平，所以在S1按下時(shí)，將Q1的柵極G電位拉低，使PMOS管Q1導(dǎo)通，Vout有電源輸出。

同時(shí)，Vout上的電壓，經(jīng)分壓電阻R2和R5使三極管Q2飽和導(dǎo)通，進(jìn)一步的拉低Q1的柵極，使Q1能夠完全導(dǎo)通。電路開機(jī)完成。電容C2通過(guò)電阻R1充電，為再次按鍵關(guān)機(jī)做準(zhǔn)備。

當(dāng)需要關(guān)機(jī)時(shí)，按下開關(guān)S1，電容C2上的高電平也會(huì)拉高Q1柵極高電平，使PMOS管截止，Vout沒(méi)有輸出，Q2三極管基極無(wú)偏置電壓，也會(huì)截止。電容C2通過(guò)電阻R1，Vout的負(fù)載進(jìn)行放電，又恢復(fù)到初始狀態(tài)，為電路開機(jī)做準(zhǔn)備。

這里電容C3對(duì)負(fù)載波動(dòng)起到一定的抗干擾作用。

注意：

本例電路有一個(gè)缺陷，所以不能用在實(shí)際的產(chǎn)品當(dāng)中。當(dāng)我們開機(jī)時(shí)，若按住S1的時(shí)間過(guò)久，馬上就會(huì)使Q1截止而關(guān)機(jī)，發(fā)生“追尾”。

單按鍵開關(guān)機(jī)電路圖（三）

本例電路通過(guò)3個(gè)三極管和一個(gè)按鍵實(shí)現(xiàn)單鍵開關(guān)機(jī)功能。

整個(gè)電路的工作過(guò)程如下：

電路上電，且按鍵S1沒(méi)有被按下時(shí)，電路的初始狀態(tài)如下：

三極管Q1，Q2，Q3都是截止?fàn)顟B(tài)，負(fù)載RL上沒(méi)有電壓，電容C1，C2，C3上也沒(méi)有電壓。

當(dāng)按鍵S1按下時(shí)，電容C3通過(guò)電阻R2開始充電，當(dāng)充電電壓上升到0.7V以上時(shí)，三極管Q2飽和導(dǎo)通，使三極管Q1的基極電壓被拉低，PNP三極管Q1也開始導(dǎo)通，負(fù)載RL得電，電路開機(jī)。

同時(shí)，負(fù)載電源電壓經(jīng)二極管D1反饋到三極管Q2，Q3的基極。

二極管D1經(jīng)電阻R4繼續(xù)給電容C3充電，維持Q2的導(dǎo)通，這樣即使按鍵S1松開后，電路還是能保持開機(jī)狀態(tài)。

二極管D1經(jīng)電阻R5給電容C2充電，最后使Q3也開始導(dǎo)通，將開關(guān)S1的左端拉低為低電平，為電路關(guān)機(jī)做好準(zhǔn)備。

當(dāng)電路需要關(guān)機(jī)時(shí)，按下開關(guān)S1，電容C3通過(guò)開關(guān)S1，Q3快速的放電，使Q2截止。Q2截止后，Q1的基極電位上升，Q1也會(huì)截止，負(fù)載斷電。完成關(guān)機(jī)動(dòng)作。

電路關(guān)機(jī)后，電容C2通過(guò)Q3的發(fā)射結(jié)慢慢的放電使Q3截止，恢復(fù)到初始狀態(tài)，為下一次開機(jī)做準(zhǔn)備。

電容C1為負(fù)載電源的濾波電容。

注意：

電容C2比電容C1的容值大，這樣可以避免誤關(guān)機(jī)。誤關(guān)機(jī)的原理大家自己想一下。

單按鍵開關(guān)機(jī)電路圖（四）

本例電路可實(shí)現(xiàn)通過(guò)一個(gè)開關(guān)按鍵和電容來(lái)控制電源的開和關(guān)。

電路圖講解：

1.上電初始狀態(tài)：

電路上電后電容C1上沒(méi)有電壓，NMOS管Q2的GS間電壓為0，Q2截止；則PMOS管Q1的GS間電壓也為0，Q1也截止，Vout無(wú)電壓輸出。

2.電路開機(jī)：

電路開機(jī)時(shí)，按下開關(guān)S1，輸入電源Vin通過(guò)電阻R1，R4，S1，R5給電容充電，電容電壓慢慢升高，當(dāng)電容電壓上升到U1時(shí)，NMOS管Q2導(dǎo)通并迅速飽和。

Q2飽和導(dǎo)通后，D點(diǎn)電位可認(rèn)為是0，這樣Q1的G極電壓也被拉低。當(dāng)Q1的GS電壓下降到U2時(shí)（U2為負(fù)電壓），Q1導(dǎo)通并迅速飽和。此時(shí)Vout有輸出，發(fā)光二極管D1被點(diǎn)亮。

此時(shí)，應(yīng)松開開關(guān)S1，輸出電壓Vout通過(guò)電阻R2，R5繼續(xù)給電容C1充電，形成自鎖回路，使Q1，Q2保持導(dǎo)通狀態(tài)。開機(jī)完成。

3.電路關(guān)機(jī)：

當(dāng)電路需要關(guān)機(jī)時(shí)，按下開關(guān)S1，電容C1通過(guò)電阻R5，開關(guān)S1，MOS管Q2的DS放電，當(dāng)放電至電容C1的電壓低于MOS管的開啟電壓時(shí)，Q2開始退出飽和并慢慢截止。Q1的GS電壓慢慢升高，也退出飽和進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)，Vout無(wú)輸出。電容C1通過(guò)R5，R2繼續(xù)對(duì)負(fù)載放電，指指電容C1兩端電壓為0。返回到電路的初始狀態(tài)。則開機(jī)完成。

注意：

1.電路圖講解中，U1，U2的電壓可通過(guò)查找電路圖中兩個(gè)MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)獲取，并分析一下電路中的參數(shù)設(shè)置是否滿足要求。

2.本例開機(jī)電路，S1開關(guān)不能舊按，在開機(jī)或者關(guān)機(jī)完成后必須松開，否則會(huì)“追尾”。

單按鍵開關(guān)機(jī)電路圖（五）

本例電路與上例開關(guān)機(jī)電路功能一樣，通過(guò)按鍵S1和電容C1可控制電路電源的開和關(guān)。但是本例電路久按開關(guān)S1不會(huì)發(fā)生“追尾”現(xiàn)象，這是它的優(yōu)點(diǎn)。

電路圖講解：

1.上電初始狀態(tài)：

電路上電后，輸入電源Vin經(jīng)電阻R1，R3對(duì)電容C1快速充電至電源電壓。MOS管 Q1，Q2截止，Vout無(wú)輸出。

2.開機(jī)狀態(tài)：

當(dāng)電路需要開機(jī)時(shí)，按下開關(guān)S1，電容C1上的電壓加至NMOS管的G極，使Q2迅速飽和導(dǎo)通，Q1柵極電位被拉低至接近0V，Q1也迅速導(dǎo)通并飽和，Vout有電壓輸出。

此時(shí)，Vout經(jīng)電阻R2，加至NMOS管Q2的柵極，維持Q2的導(dǎo)通，形成自鎖回路。此時(shí)若S1沒(méi)有松開，則Vout還會(huì)對(duì)電容C1充電，不會(huì)影響電路的開機(jī)狀態(tài)。

若S1松開，則電容C1通過(guò)電阻R3，Q2的DS進(jìn)行放電至接近0V，為電路關(guān)機(jī)做準(zhǔn)備。

3.關(guān)機(jī)狀態(tài)：

電路需要關(guān)機(jī)時(shí)，再次按下開關(guān)S1，NMOS管Q2的柵極電位由于電容C1的作用，被拉低至低電平，Q2截止。

Q2截止后，PMOS管的柵極電位上升到高電平，Q1截止，Vout無(wú)輸出。此時(shí)，應(yīng)松開開關(guān)S1，電容C1又經(jīng)電阻R1，R3開始慢慢充電至接近輸入電源電壓?；謴?fù)至上電初始狀態(tài)。

注意：

1.本例電路中對(duì)電阻參數(shù)的要求沒(méi)有上例電路要求高。而且在開機(jī)時(shí)，開關(guān)S1久按不影響電路的開機(jī)；但是關(guān)機(jī)時(shí)，久按開關(guān)S1則容易導(dǎo)致電路重新開機(jī)，至于為什么可以自己思考。

2.另外，若Vout端接有一個(gè)濾波電容，會(huì)不會(huì)影響電路開機(jī)和關(guān)機(jī)？