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CMT2300A的開(kāi)關(guān)射頻匹配網(wǎng)絡(luò)電路設(shè)計(jì)

h1654155282.3538 ? 來(lái)源:陳翠 ? 作者:電路城 ? 2019-09-27 09:29 ? 次閱讀

SwitchType匹配電路需采用RFswitch實(shí)現(xiàn)天線到TX和RX通路間的切換,與直連(DirectTie)匹配相比,收發(fā)回路間隔離度高,匹配容易實(shí)現(xiàn)。

CMT2300ARF開(kāi)關(guān)(SwitchType)匹配電路原理圖設(shè)計(jì)

1、L1是扼流電感。

2、C10-C14是電源退耦電容,用于減小PA輸出對(duì)電源的影響。

3、C1是隔直電容,并且與L2的部分電感在工作頻點(diǎn)形成諧振起到諧波抑制作用。

4、C8和C9是耦合電容。

5、L2,C2和C5使得PA輸出阻抗和RF開(kāi)關(guān)J2腳阻抗匹配。

6、C6,L6,C7,L7和L8組成巴倫匹配網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)接收機(jī)的輸入阻抗和RF開(kāi)關(guān)J3腳阻抗相匹配,并使得接收信號(hào)到達(dá)差分輸入口RFIP,RFIN處時(shí)幅度相等,相位相差180度。

7、L3,C3,L4,C4和L5為低通濾波網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)天線和RF開(kāi)關(guān)J1腳阻抗匹配,抑制諧波。

8、Y1推薦用頻率容差±20ppm的26MHz晶體,可接受的晶體頻率容差取決于用戶產(chǎn)品通訊系統(tǒng)的要求,如頻率,信道,帶寬等。

9、R1,R2為限流電阻。

10、C15,C16為晶體負(fù)載電容(注意芯片內(nèi)部已經(jīng)集成了約4pF的負(fù)載電容,以CL=15pF的26MHz晶體為例,折合晶體相連走線分布電容2pF,C4和C5取值約15*2-4-2=24pF)。

11、C17,C18濾波電容,濾除天線開(kāi)關(guān)上雜散信號(hào)。

12、C19-C22濾波電容,在布線不合理或走線太長(zhǎng)情況下,串口CSB,F(xiàn)CSB,SDIO,SCLK管腳容易受到干擾,功率輸出(20dBm)越大,工作頻率越低,受干擾的概率越大,建議靠近四個(gè)管腳預(yù)留到地電容(27pF)濾除射頻干擾。

CMT2300ARF開(kāi)關(guān)匹配PCBLayout為兩層布線設(shè)計(jì)。

說(shuō)明如下:

1、射頻信號(hào)路徑盡量的直且短,減小射頻信號(hào)輸入與輸出的的損耗。

2、射頻走線應(yīng)該盡量平整,以減小傳輸線上的阻抗波動(dòng)而產(chǎn)生反射。在上圖中L2到P1間射頻走線為50Ω阻抗傳輸線。本參考設(shè)計(jì)中,雙面板為FR4板材,介電常數(shù)Er=4.6,銅皮厚1oz,PCB板厚0.8mm,當(dāng)取傳輸線寬度為1mm左右,且傳輸線與包地(GND)的間隙設(shè)定為0.35mm時(shí),就可得到阻抗為50歐姆的傳輸線。

3、盡量不要有絲印落在射頻路徑上,絲印會(huì)影響傳輸線阻抗。

4、L1離PA管腳盡量近。相鄰電感盡量正交擺放,可減少相互耦合。

5、射頻通路,晶振電路和IC的下方相鄰層要有完整的鋪地(GND)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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