美光已流片第一批第四代3DNAND存儲芯片 有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3DNAND內(nèi)存

美光科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲芯片，它們基于美光全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存，但美光警告稱，使用新架構(gòu)的存儲芯片將僅用于特定應(yīng)用，因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。

美光第四代3D NAND使用多達128個有源層，并在陣列設(shè)計方法上繼續(xù)使用CMOS。新型3D NAND存儲器改變了用于柵替換的浮柵技術(shù)，以試圖降低尺寸和成本，同時提高性能，并簡化向下一代節(jié)點的過渡。該技術(shù)完全由美光公司開發(fā)，沒有英特爾任何投入，因此它很可能是針對美光公司最希望針對的應(yīng)用量身定制。

美光第四代128層3D NAND成功流片表明，該公司的新設(shè)計不僅僅是一個概念。同時，美光還沒有計劃將其所有產(chǎn)品線都轉(zhuǎn)換為最初的RG工藝技術(shù)，因此公司范圍內(nèi)每比特成本明年不會顯著下降。盡管如此，該公司承諾在其后續(xù)RG工藝節(jié)點廣泛部署之后，到2021財年將真正開始降低成本。

目前，美光科技正在提高96層3D NAND的產(chǎn)量，并于明年開始在其絕大部分產(chǎn)品線中使用。 128層3D NAND硬件不會立即導(dǎo)致每比特成本顯著下降，但是會隨著時間推移而下降。后續(xù)工藝節(jié)點（美光第五代3D NAND）可能具有至少128層，并且如果被廣泛使用，它將大大降低產(chǎn)品每比特成本。