工信部網(wǎng)站發(fā)布《關(guān)于政協(xié)十三屆全國(guó)委員會(huì)第二次會(huì)議第2282號(hào)(公交郵電類256號(hào))提案答復(fù)的函》,稱下一步將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展,根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì),調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則,更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
答復(fù)函中提及,為推動(dòng)中國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展,工信部、發(fā)展改革委及相關(guān)部門,積極研究出臺(tái)政策扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
一是2014年國(guó)務(wù)院發(fā)布的《推進(jìn)綱要》中,已經(jīng)將工業(yè)半導(dǎo)體芯片相關(guān)產(chǎn)品作為發(fā)展重點(diǎn),通過資金、應(yīng)用、人才等方面政策推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。
二是發(fā)展改革委、我部研究制定了集成電路相關(guān)布局規(guī)劃,推動(dòng)包括工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片等產(chǎn)業(yè)形成區(qū)域集聚、主體集中的良性發(fā)展局面。
三是按照國(guó)發(fā)〔2011〕4號(hào)文件的有關(guān)要求,對(duì)符合條件的工業(yè)半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、制造等企業(yè)的企業(yè)所得稅、進(jìn)口關(guān)稅等方面出臺(tái)了多項(xiàng)稅收優(yōu)惠政策,對(duì)相關(guān)領(lǐng)域給予重點(diǎn)扶持。
四是圍繞能源、交通等國(guó)家重點(diǎn)工業(yè)領(lǐng)域,充分發(fā)揮相關(guān)行業(yè)組織作用,通過舉辦產(chǎn)用交流對(duì)接會(huì)、新產(chǎn)品推介會(huì)、發(fā)布典型應(yīng)用示范案例等方式,為我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體芯片企業(yè)和整機(jī)企業(yè)搭建交流合作平臺(tái)。
下一步,工信部及相關(guān)部門將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展,根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì),調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則,更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會(huì)等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度,深入推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同,促進(jìn)我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推廣。
答復(fù)函中還提及,工信部與相關(guān)部門積極支持國(guó)內(nèi)企業(yè)、高校、研究院所與先進(jìn)發(fā)達(dá)國(guó)家加強(qiáng)交流合作。引進(jìn)國(guó)外先進(jìn)技術(shù)和研發(fā)團(tuán)隊(duì),推動(dòng)包括工業(yè)半導(dǎo)體芯片、器件等領(lǐng)域國(guó)際專家來華交流,支持海外高層次產(chǎn)業(yè)人才來華發(fā)展,提升中國(guó)在工業(yè)半導(dǎo)體芯片相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)能力和技術(shù)實(shí)力。
下一步,工信部和相關(guān)部門將繼續(xù)加快推進(jìn)開放發(fā)展。引導(dǎo)國(guó)內(nèi)企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等加強(qiáng)與先進(jìn)發(fā)達(dá)國(guó)家產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略合作,進(jìn)一步鼓勵(lì)中國(guó)企業(yè)引進(jìn)國(guó)外專家團(tuán)隊(duì),促進(jìn)中國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升。
工信部回復(fù)稱,為解決工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關(guān)鍵性技術(shù)問題,工信部等相關(guān)部門積極支持工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。
一是2017年工信部推出“工業(yè)強(qiáng)基IGBT器件一條龍應(yīng)用計(jì)劃”,針對(duì)新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通三大領(lǐng)域,重點(diǎn)支持IGBT設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊生產(chǎn)及IDM、上游材料、生產(chǎn)設(shè)備制造等環(huán)節(jié),促進(jìn)IGBT及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
二是指導(dǎo)湖南省建立功率半導(dǎo)體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設(shè),整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源,協(xié)同攻關(guān)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵共性技術(shù)。
三是指導(dǎo)中國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國(guó)IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖(2018-2030)》,引導(dǎo)我國(guó)IGBT行業(yè)技術(shù)升級(jí),推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
下一步,工信部將繼續(xù)支持我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體領(lǐng)域成熟技術(shù)發(fā)展,推動(dòng)中國(guó)芯片制造領(lǐng)域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā),推動(dòng)我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
工信部表示,當(dāng)前,人才問題特別是高端人才團(tuán)隊(duì)短缺成為制約中國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素,為此工信部及相關(guān)部門積極推動(dòng)中國(guó)相關(guān)產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)。
一是工信部、教育部共同推動(dòng)籌建集成電路產(chǎn)教融合發(fā)展聯(lián)盟,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的資源整合,推動(dòng)培養(yǎng)擁有工程化能力的產(chǎn)業(yè)人才。
二是同時(shí)以集成電路為試點(diǎn)實(shí)施關(guān)鍵領(lǐng)域核心技術(shù)緊缺博士人才自主培養(yǎng)專項(xiàng),根據(jù)行業(yè)企業(yè)需要,依托高水平大學(xué)和國(guó)內(nèi)骨干企業(yè),針對(duì)性地培養(yǎng)一批高端博士人才。
三是教育部、工信部等相關(guān)部門印發(fā)了《關(guān)于支持有關(guān)高校建設(shè)示范性微電子學(xué)院的通知》,支持26所高校建設(shè)或籌建示范性微電子學(xué)院,推動(dòng)高校與區(qū)域內(nèi)集成電路領(lǐng)域骨干企業(yè)、國(guó)家公共服務(wù)平臺(tái)、科技創(chuàng)新平臺(tái)、產(chǎn)業(yè)化基地和地方政府等加強(qiáng)合作。
工信部表示,下一步,與教育部等部門將進(jìn)一步加強(qiáng)人才隊(duì)伍建設(shè)。推進(jìn)設(shè)立集成電路一級(jí)學(xué)科,進(jìn)一步做實(shí)做強(qiáng)示范性微電子學(xué)院,加快建設(shè)集成電路產(chǎn)教融合協(xié)同育人平臺(tái),保障我國(guó)在工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。
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