耐威科技擬在青島投資建設(shè)氮化鎵晶圓制造項(xiàng)目 利于公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局

耐威科技正在進(jìn)一步布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

11月6日，耐威科技發(fā)布公告稱，其與青島西海岸新區(qū)管委簽署協(xié)議，擬在青島西海岸新區(qū)投資建設(shè)氮化鎵（GaN）晶圓制造項(xiàng)目。

投建氮化鎵（GaN）晶圓制造項(xiàng)目

公告顯示，耐威科技與與青島西海岸新區(qū)管委簽署《合作框架協(xié)議》，雙方根據(jù)國家有關(guān)法律法規(guī)及青島西海岸新區(qū)發(fā)展規(guī)劃，本著共同發(fā)展、互利共贏的原則，經(jīng)友好協(xié)商，就耐威科技擬在新區(qū)投資建設(shè)氮化鎵（GaN）晶圓制造項(xiàng)目初步達(dá)成意向。

該項(xiàng)目擬建設(shè)一條6英寸氮化鎵微波器件生產(chǎn)線和一條 8英寸氮化鎵功率器件生產(chǎn)線；項(xiàng)目總建筑面積約20.40萬平米，其中廠房與辦公建筑面積約18.00萬平米，宿舍面積約2.40萬平米。項(xiàng)目建成后，將有助于青島形成氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)材料全產(chǎn)業(yè)鏈基地及產(chǎn)業(yè)集群。

此次簽訂的協(xié)議不涉及具體金額，至于項(xiàng)目資金，公告表示項(xiàng)目一期投資由耐威科技聯(lián)合有關(guān)產(chǎn)業(yè)投資基金共同出資不少于50%；其余資金由青島西海岸新區(qū)管委協(xié)調(diào)安排相關(guān)國有企業(yè)以土地廠房出資或直接投資方式解決，具體合作方式耐威科技與相關(guān)國有企業(yè)另行約定。

據(jù)介紹，青島西海岸新區(qū)管委為青島西海岸新區(qū)的行政主管單位，青島西海岸新區(qū)是國務(wù)院批準(zhǔn)的第9個國家級新區(qū)，處于山東半島藍(lán)色經(jīng)濟(jì)區(qū)和環(huán)渤海經(jīng)濟(jì)圈內(nèi)，具有輻射內(nèi)陸、聯(lián)通南北、面向太平洋的戰(zhàn)略區(qū)位優(yōu)勢。

公告指出，本協(xié)議是雙方合作的框架協(xié)議，自協(xié)議簽署之日起有效期三個月，具體合作模式及內(nèi)容以雙方另行簽署的合同約定為準(zhǔn)。

第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域全產(chǎn)業(yè)鏈布局

氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一。與第一、二代相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子 速率等優(yōu)點(diǎn)，可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

由于性能優(yōu)越等原因，許多發(fā)達(dá)國家將第三代半導(dǎo)體材料列入國家計劃，搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。近年來，我國多地及不少企業(yè)正在加速布局，耐威科技也于去年正式涉足第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。

2018年7月，耐威科技在青島市嶗山區(qū)投資設(shè)立“青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設(shè)計、開發(fā)；2018 年6月，耐威科技在青島市即墨區(qū)投資設(shè)立“聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司”（以下簡稱“聚能晶源”），主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)。

目前，耐威科技在第三代半導(dǎo)體的布局已有階段性成果。2018年12月，耐威科技公告宣布，聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”；今年9月，聚能晶源宣布其第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目（一期）正式投產(chǎn)。

這次擬在青島西海岸新區(qū)再投建氮化鎵（GaN）晶圓制造項(xiàng)目，耐威科技表示，若項(xiàng)目順利建成，將有利于公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇，盡快拓展相關(guān)材料與器件在5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、新型電源等領(lǐng)域的推廣應(yīng)用。
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