國產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相，年底完成DDR4內(nèi)存研發(fā)并推向市場

隨著紫光、合肥長鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。

西安紫光國芯是紫光國微（原來也叫紫光國芯，后來改名為紫光國微），前身是西安華芯，是奇夢達(dá)公司的遺產(chǎn)，2009年被浪潮收購，2015年又被紫光納入旗下。此前該公司在投資者平臺上表示具備世界級的DDR內(nèi)存設(shè)計能力，但沒有生產(chǎn)能力，無法大規(guī)模量產(chǎn)。

西安國芯之前表示今年底完成DDR4內(nèi)存研發(fā)并推向市場，在2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會亮相應(yīng)該意味著他們的DDR4內(nèi)存芯片已經(jīng)完成，開始市場推廣了。

根據(jù)集邦科技的信息，西安紫光國芯將展出從顆粒到模組全系列的內(nèi)存產(chǎn)品，包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4 DRAM顆粒，SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、NVDIMM模組產(chǎn)品，和世界首款商用內(nèi)嵌自糾錯DRAM，即ECC DRAM產(chǎn)品。

圖1 西安紫光國芯的DDR4 DRAM顆粒

圖2 西安紫光國芯的LPDDR4顆粒

圖3 西安紫光國芯的DDR3 ECC DRAM顆粒

上面幾款DDR4及DDR3顆粒還只有封裝信息圖，沒有具體實物，只能等展會上再說了。

下面的幾個是西安國芯的內(nèi)存條，其中有筆記本版的SO-DIMM規(guī)格，也有服務(wù)器版的R-DIMM規(guī)格，還有桌面版的U-DIMM規(guī)格。

圖4 西安紫光國芯的SO-DIMM內(nèi)存模組，單條4GB

圖5 西安紫光國芯的U-DIMM內(nèi)存模組，單條容量8GB，頻率2666MHz

圖6 西安紫光國芯的R-DIMM內(nèi)存模組，單條容量16GB，DDR4-2666頻率

圖7 西安紫光國芯的NVDIMM內(nèi)存模組，容量也是16GB，頻率2666MHz

集邦科技表示，西安紫光國芯一直專注于存儲器領(lǐng)域，尤其是DRAM存儲器的研發(fā)和技術(shù)積累。該公司在DRAM產(chǎn)品定義、設(shè)計、測試、量產(chǎn)和銷售上建立了完整成熟的體系，累計二十余款芯片產(chǎn)品和四十余款模組產(chǎn)品，實現(xiàn)了全球的量產(chǎn)和銷售。

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