2019年第三季度NAND閃存出貨量增長 中國存儲產(chǎn)業(yè)仍然弱小但迎發(fā)展機(jī)遇

第三季度全球NAND閃存市場明顯復(fù)蘇，三星、鎧俠（原東芝存儲）、美光等主要存儲廠商的出貨量均有較大幅度增長。在此情況下，各大廠商之間加緊了競爭卡位，以期在新一輪市場競爭中占據(jù)有利位置。三星、美光、SK海力士均發(fā)布了128層3D NAND閃存芯片，將NAND閃存的堆疊之爭推進(jìn)到了新的層級。

市場回暖，閃存業(yè)現(xiàn)10.2%正增長

受益于年底購物季到來，消費(fèi)電子終端廠商提前備貨，加上高企的庫存被逐漸消化，NAND閃存持續(xù)一年有余的市場寒冬終于在第三季度開始轉(zhuǎn)暖。根據(jù)集邦咨詢的調(diào)查，2019年第三季度NAND閃存出貨量增長，增長率接近15%，營業(yè)收入平均增長10.2%，達(dá)到約119億美元。

幾家存儲大廠營業(yè)狀況也表現(xiàn)良好。三星第三季度出貨量比第二季度增長10%，由于庫存水位表現(xiàn)平穩(wěn)，因此產(chǎn)品銷售單價跌幅也收斂到5%，營收達(dá)到39.87億美元，比第二季度增長5.9%。SK海力士由于第二季度出貨大幅增長40%，第三季度出貨量略有放緩，環(huán)比減少了1%，但是因為銷售價格穩(wěn)定，因此整體營收也比較穩(wěn)定，達(dá)11.46億美元，環(huán)比增長3.5%。至于鎧俠雖然此前的四日市工廠斷電事故余波仍在，但在整個大市轉(zhuǎn)暖的影響下，營收達(dá)到22.27億美元，季增長14.3%。西部數(shù)據(jù)第三季度出貨量環(huán)比增長9%，營收達(dá)16.32億美元，環(huán)比增長8.4%。美光第三季度收入增長4.7%，達(dá)15.3億美元。

總之，在年底銷售旺季的推動下，加上對庫存的消化，NAND市場已經(jīng)逐漸回暖，整體市況正在向好的方向發(fā)展。集邦咨詢在對第四季度展望中表示，旺季市場需求回溫將有助于各供應(yīng)商獲利表現(xiàn)的改善。

技術(shù)之爭升級，3D NAND上看128層

技術(shù)升級一向是存儲芯片公司間競爭的主要策略。隨著存儲市場由弱轉(zhuǎn)強(qiáng)，處于新舊轉(zhuǎn)換的節(jié)點(diǎn)，美光、三星、SK海力士、英特爾等紛紛加大新技術(shù)工藝的推進(jìn)力度，以圖通過新舊世代的產(chǎn)品交替克服危機(jī)，并在新一輪市場競爭中占據(jù)有利地位。目前來看，NAND閃存的技術(shù)工藝之爭已經(jīng)推進(jìn)到了128層。

10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存儲芯片流片出樣。第四代3D NAND基于美光的RG架構(gòu)，采用128層工藝，預(yù)計2020年開始商用。在“Mircon Insight2019”技術(shù)大會上，美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示，128層3D NAND如果被廣泛使用，將大大降低產(chǎn)品每比特成本。

SK海力士也在11月宣布開始出樣128層3D NAND閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，SK海力士推出了96層3D NAND產(chǎn)品。

相比而言，三星的動作更快。今年8月，三星即宣布推出首個100+層的新一代3D NAND閃存。 據(jù)三星介紹，該產(chǎn)品采用“通道孔蝕刻”技術(shù)，使前代96層的堆疊架構(gòu)增加了約40%的存儲單元。同時，三星還優(yōu)化了電路設(shè)計，使其可實現(xiàn)最快的數(shù)據(jù)傳輸速度，寫入操作的數(shù)據(jù)傳輸速度低于450μs，讀取速度低于45μs。

從進(jìn)度表來看，128層3D NAND需要到明年才能大量進(jìn)入企業(yè)存儲市場，逐漸成為主流。但是從此亦可看出，存儲廠商間的新一輪技術(shù)升級之爭亦將變得更加激烈。半導(dǎo)體專家莫大康指出，存儲芯片具有高度標(biāo)準(zhǔn)化的特性，且品種單一，較難實現(xiàn)產(chǎn)品的差異化。這導(dǎo)致各廠商需要在工藝技術(shù)和生產(chǎn)規(guī)模上比拼競爭力。因此，每當(dāng)市場格局出現(xiàn)新舊轉(zhuǎn)換時，廠商往往打出技術(shù)牌，以期通過新舊世代產(chǎn)品的改變，提高產(chǎn)品密度，降低制造成本，取得競爭優(yōu)勢。

追趕國際水平，量產(chǎn)能力是關(guān)鍵

相比國際先進(jìn)水平，中國存儲業(yè)有多大差距呢？今年9月，長江存儲宣布量產(chǎn)64層3D NAND。長江存儲表示，未來將擴(kuò)大產(chǎn)量，但并沒有發(fā)布具體擴(kuò)產(chǎn)計劃。有業(yè)內(nèi)人士預(yù)估，到明年年底晶圓產(chǎn)量將達(dá)到每月6萬片的規(guī)模，約可占全球產(chǎn)量的5%。

在市場方面，紫光旗下的新華三集團(tuán)表示將引入紫光存儲SSD的產(chǎn)品，應(yīng)用于其企業(yè)級服務(wù)器產(chǎn)品中。另有消息人士稱，長江存儲的NAND閃存已接到其他部分知名企業(yè)的訂單，如聯(lián)想計劃在其電腦中使用NAND閃存芯片。

盡管有所進(jìn)展，但中國存儲產(chǎn)業(yè)仍然弱小。莫大康認(rèn)為，表面來看，國內(nèi)企業(yè)64層3D NAND與國際大廠128層僅相差兩代。實際的差距卻并不止此?？剂恳蛩夭粌H包括技術(shù)的開發(fā)、量產(chǎn)工藝的精進(jìn)、成品率的提升，也包括市場占有率的擴(kuò)大等。2020年年底產(chǎn)能能否達(dá)到量產(chǎn)6萬片/月十分關(guān)鍵，是否能在產(chǎn)能提升的同時提高成品率，產(chǎn)能爬坡速度對企業(yè)來說是一個痛點(diǎn)。

技術(shù)上從2D到3D的改變，對中國存儲業(yè)來說是一個難得的發(fā)展機(jī)遇，但是如何抓住這個機(jī)遇仍具挑戰(zhàn)。國外資深半導(dǎo)體分析師Mark Li表示：“未來12個月將是關(guān)鍵時期?！?br /> 責(zé)任編輯：wv