控制交流負(fù)載回路的通斷,通常會用到繼電器。繼電器是機械式觸點的電磁元器件,可以實現(xiàn)弱電控制強電的目的。但是在帶電流分?jǐn)嘭?fù)載回路時,會產(chǎn)生電弧腐蝕觸點,降低了繼電器的使用壽命,并且繼電器觸點的響應(yīng)時間在ms級別,不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來控制交流回路的通斷,那么可以考慮使用可控硅來實現(xiàn)。
1 什么是可控硅
可控硅是具有四層結(jié)構(gòu)的PNPN型半導(dǎo)體器件,可以看作是由兩個三極管所構(gòu)成的元器件,可控硅的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示。
可控硅從導(dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個電極分別是陽極A、陰極K和控制極G;雙向可控硅的三個電極分別為T1,T2以及控制G??煽毓璧脑趯?dǎo)通后,及時將控制信號去掉,可控硅仍然處于導(dǎo)通狀態(tài)。在交流負(fù)載回路中,一般使用雙向可控硅。
2 可控硅控制回路的設(shè)計
單片機的輸出端接三極管的基極,通過三極管來控制光耦的通斷,圖中以燈泡作為負(fù)載。當(dāng)單片機輸出高電平時,光耦導(dǎo)通,此時可控硅的控制極有觸發(fā)信號,并且T1和T2上的交流電源滿足導(dǎo)通條件。單片機輸出低電平時,光耦截止,可控硅的控制極信號被移除,此時可控硅并不是立即關(guān)斷截止的,而是在過零點附件時截止。在交流回路中,可控硅的關(guān)斷比較容易。
3 可控硅的控制方式
可控硅的控制方式和三極管、MOS管都不一樣??煽毓璧膶?dǎo)通和關(guān)斷都相對較為麻煩。以單向可控硅為例,其導(dǎo)通條件為:
①控制極加上正向電壓;
②陽極與陰極之間要加入正向電壓;
可控硅導(dǎo)通后,將控制信號移除,可控硅仍然導(dǎo)通,要想關(guān)斷可控硅,必須滿足以下條件:
①控制信號移除;
②陽極電流小于維持電流;
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