三星電子12英寸閃存芯片二期第二階段項目正式啟動 總投資達(dá)150億美元

繼12月10日，西安三星電子閃存芯片項目二期第二階段80億美元投資啟動后，西安和三星的深化合作再次邁上一個新臺階。

據(jù)西安日報報道，12月15日，三星（中國）半導(dǎo)體有限公司12英寸閃存芯片二期第二階段項目正式啟動。

據(jù)了解，三星電子一期投資108億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目。二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片，其中，第一階段投資約70億美元，明年3月竣工投產(chǎn)；第二階段投資80億美元，2021年下半年竣工。

項目一期于2014年5月竣工投產(chǎn)，項目二期于2018年3月正式開工建設(shè)，其中第一階段投資70億美元。三星（中國）半導(dǎo)體有限公司董事長任伯均表示，三星電子二期第一階段項目進(jìn)展順利，明年三月將實現(xiàn)量產(chǎn)。

二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，占三星電子全球產(chǎn)量的40%，新增產(chǎn)值300億元，成為全球規(guī)模最大的閃存芯片生產(chǎn)基地，并帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶，使西安形成較為完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

據(jù)西安日報報道，自2012年落戶西安以來，三星電子建成了高端存儲芯片、封裝測試項目和電子研發(fā)中心，涉及金融、貿(mào)易、動力電池、建筑工程等多個領(lǐng)域，累計投資250億美元，是三星海外投資歷史上投資規(guī)模最大的項目。
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