STM32F0xx_FLASH編程（片內(nèi)） 配置詳細(xì)過程

Ⅰ、概述

關(guān)于數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存，我覺得編程的人基本上都會(huì)使用到，只是看你儲(chǔ)存在哪里。STM32的芯片內(nèi)部FLASH都是可以進(jìn)行編程的，也就是說可以拿來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。但是，很多做一些小應(yīng)用程序開發(fā)的人都沒有利用好這個(gè)功能，而是單獨(dú)外接一個(gè)EEPROM或者FLASH，我覺得有些情況下（小數(shù)據(jù)、不常改動(dòng)）這是對(duì)資源的一種極大浪費(fèi)。

關(guān)于使用內(nèi)部FLASH進(jìn)行編程，網(wǎng)上也有很多人這么說：1、內(nèi)部FLASH的讀寫次數(shù)有限；2、內(nèi)部FLASH會(huì)破壞程序。這些說法確實(shí)存在一定道理，對(duì)于次數(shù)，10W次，我想這個(gè)次數(shù)除非你經(jīng)常寫FLASH，正常情況下你打不到這個(gè)值。對(duì)于破壞程序，如果你編程嚴(yán)謹(jǐn)，這個(gè)不是問題。綜上，我覺得這些都不是擔(dān)心的問題，只要你用心編好程，這樣就能利用好資源。

舉一個(gè)存在的例子，我三年前在STM32F1上面開發(fā)了兩個(gè)產(chǎn)品（已經(jīng)投入使用），儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)量差不多在6K左右，每使用一次，讀寫的次數(shù)差不多在5-10次左右，但是該產(chǎn)品至今還未因FLASH而出現(xiàn)過問題。所以說，利用好資源也是作為一位軟件工程師需要考慮的。

提示：為了安全起見，寫的次數(shù)最好做一個(gè)預(yù)估，儲(chǔ)存的地址最和程序存在一定的距離。

Ⅱ、下載

文章提供的“軟件工程”都是在硬件板子上進(jìn)行多次測(cè)試、并保證沒問題才上傳至360云盤，請(qǐng)放心下載測(cè)試，如有問題請(qǐng)檢查一下你的板子是否有問題。

ST標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)庫(kù)和參考手冊(cè)、數(shù)據(jù)手冊(cè)等都可以在ST官網(wǎng)下載，你也可以到我的360云盤下載。關(guān)于F0系列芯片的參考手冊(cè)有多個(gè)版本（針對(duì)F0不同芯片），但有一個(gè)通用版本，就是“STM32F0x128參考手冊(cè)V8(英文)2015-07”建議參考該手冊(cè)，以后如果你換用一種型號(hào)芯片也方便了解。

今天的軟件工程下載地址（360云盤）：

https://yunpan.cn/cRAK2gWXyJZXD訪問密碼 3581

STM32F0xx的資料可以在我360云盤下載：

https://yunpan.cn/cS2PVuHn6X2Bj訪問密碼 8c37

Ⅲ、準(zhǔn)備工作

對(duì)于內(nèi)部FLASH的編程，建議大家準(zhǔn)備F0的參考手冊(cè)和數(shù)據(jù)手冊(cè)，方便查閱相關(guān)知識(shí)，沒有的請(qǐng)到ST官網(wǎng)或到我360云盤下載。

今天總結(jié)的軟件工程是基于“TIM基本延時(shí)配置詳細(xì)過程”修改而來，因此需要將該軟件工程下載準(zhǔn)備好。我每次都是提供整理好的軟件工程供大家下載，但是，如果你是一位學(xué)習(xí)者，建議自己親手一步一步操作：打開工程 -> 新建文件(flash.c flash.h) -> 添加相關(guān)文件到工程中 -> 添加源代碼。

Ⅳ、FLASH編程說明

STM32F0系列芯片中頁(yè)的大小都是規(guī)則的，也就是說都是1K或許2K大?。ㄈ鐖D：F0_FLASH），學(xué)過其他系列芯片的人可能知道，在其他很多芯片中也有不是規(guī)則的，如F2、F4中基本都不是規(guī)則的（如圖：F4_FLASH），有的一塊16K、128K等不規(guī)則。這樣的芯片對(duì)于今天提供的工程就不適用，今天提供工程適用于內(nèi)部FLASH規(guī)則大小的芯片。

圖：F0_FLASH

圖：F4_FLASH

Ⅴ、代碼描述

工程概要說明： 提供工程的源代碼主要就是兩個(gè)接口，一個(gè)寫，一個(gè)讀。

void FLASH_WriteNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t nWord);

void FLASH_ReadNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t ReadAddr, uint16_t nWord);

相信經(jīng)常編程的人都明白函數(shù)接口的意思（我的命名規(guī)則還是算比較人性化的），就是和常見的訪問外部FLASH一樣，不會(huì)覆蓋數(shù)據(jù)，我已經(jīng)在實(shí)際工作中應(yīng)用而且商業(yè)化了。

主要在地址“ADDR”處寫一個(gè)標(biāo)志位，在地址“ADDR + 1”連續(xù)寫一串?dāng)?shù)據(jù)。如果標(biāo)志位已經(jīng)是“寫過”，則不會(huì)再次寫入數(shù)據(jù)，只會(huì)讀取數(shù)據(jù)，意思就是說數(shù)據(jù)只寫一次，以后每次只是讀取數(shù)據(jù)（就是保證掉電后數(shù)據(jù)會(huì)不會(huì)丟失）。每次讀取數(shù)據(jù)，通過串口打印出以前寫入的數(shù)據(jù)是否正確。

提供的工程以簡(jiǎn)單為原則，詳細(xì)中文注釋，方便自己方便大家。

①讀函數(shù)接口

該函數(shù)位于flash.c文件下面；

這個(gè)函數(shù)接口比較簡(jiǎn)單，直接地址讀數(shù)據(jù)。

注意：

A.參數(shù)pBuffer是數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，是16位的，而不是8位的。（其實(shí)這里可以整理為8位的，由于時(shí)間有限，后期整理一下）。

B.參數(shù)長(zhǎng)度也是16位的數(shù)量。

C.地址是內(nèi)部FLASH地址，可別溢出了，也別和程序儲(chǔ)存地址沖突。最好看看你的程序大小及芯片容量。

②寫函數(shù)接口

該函數(shù)位于flash.c文件下面；

這個(gè)函數(shù)接口FLASH_WriteNWord才是本文的重點(diǎn)，原因在于這里的寫不會(huì)破壞其它數(shù)據(jù)（哪怕是臨近地址），這個(gè)函數(shù)接口是比較現(xiàn)成的，也就是應(yīng)用級(jí)的接口。經(jīng)過我大量測(cè)試和項(xiàng)目開發(fā)，暫未發(fā)現(xiàn)bug。

③重點(diǎn)

A.頁(yè)的大?。篠TM32F0因芯片型號(hào)差異請(qǐng)注意頁(yè)的大小，我在程序中用一個(gè)宏來定義也的大小。

Ⅵ、說明

或許你硬件芯片不是提供工程里面的芯片，但是STM32F0的芯片軟件兼容性很好，可以適用于F0其他很多型號(hào)的芯片，甚至是F2、F4等芯片上（具體請(qǐng)看手冊(cè)、或者親自測(cè)試）。

本文章提供的軟件工程是基于ST標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)庫(kù)為基礎(chǔ)建立而成，而非使用STM32CubeMX建立工程。個(gè)人覺得使用ST的標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)庫(kù)適合與學(xué)習(xí)者，STM32CubeMX建立工程結(jié)構(gòu)復(fù)雜，對(duì)于學(xué)習(xí)者，特別是初學(xué)者估計(jì)會(huì)頭疼。

今天的工程是基于工程“STM32F0xx_TIM基本延時(shí)配置詳細(xì)過程”修改而來，以上實(shí)例總結(jié)僅供參考，若有不對(duì)之處，敬請(qǐng)諒解。