(文章來源:數(shù)碼小妖精)
近年來,我國(guó)在高新技術(shù)研發(fā)方面不斷獲得新突破,原本的薄弱領(lǐng)域更是逐步建立起技術(shù)壁壘,在全球市場(chǎng)中站穩(wěn)腳跟,例如國(guó)產(chǎn)芯片。提及國(guó)產(chǎn)芯片,想必大多數(shù)消費(fèi)者都會(huì)第一時(shí)間聯(lián)想到華為海思,但除了民營(yíng)科技巨頭在研發(fā)國(guó)產(chǎn)芯之外,“國(guó)家隊(duì)”早已走上自研之路。
中科院傳來好消息,中國(guó)科學(xué)家研發(fā)除了新型垂直納米環(huán)柵晶體管,這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后,國(guó)產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”,意義重大。
眾所周知,目前市面上最先進(jìn)的工藝為7nm以及第二代7nm,中國(guó)芯片代工巨頭臺(tái)積電的5nm有望2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此外,臺(tái)積電還曾宣布其3nm工藝正在研發(fā)過程中,而2nm工藝預(yù)計(jì)2024年才會(huì)投產(chǎn)。而這些芯片工藝的升級(jí)其實(shí)就是晶體管密度的不斷增強(qiáng)以及晶體管技術(shù)的更新?lián)Q代。
據(jù)了解,從英特爾首發(fā)22nm FinFET工藝至今,這種FinFET鰭式晶體管就被沿用至今,未來的5nm以及4nm都將繼續(xù)使用此類晶體管。而在2018年,三星曾率先發(fā)布3nm工藝需要采用的GAA環(huán)繞柵極晶體管,此類技術(shù)相比原有的FinFET鰭式晶體管,可在多方面增強(qiáng)芯片性能、降低功耗和核心面積。
而在三星之后,中科院研發(fā)出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。據(jù)悉,早在2016年官方就開始針對(duì)此類技術(shù)開展相關(guān)研究,歷經(jīng)重重困難,中科院斬獲全球第一,研發(fā)出世界上首個(gè)具有自對(duì)準(zhǔn)柵極的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。
值得注意的是,這一疊層垂直納米環(huán)柵晶體管還獲得多項(xiàng)中、美發(fā)明專利授權(quán),更在國(guó)際微電子器件領(lǐng)域的頂級(jí)期刊《IEEE Electron Device Letters》成功發(fā)表??偠灾?,即便目前有些技術(shù)依舊被西方國(guó)家壟斷甚至被惡意阻撓其正常發(fā)展,但國(guó)產(chǎn)芯片依舊迸發(fā)出了不容忽視的力量。
疊層垂直納米環(huán)柵晶體管的誕生就是最有力的證明,同時(shí)也是中國(guó)特色社會(huì)主義制度優(yōu)越性的展現(xiàn)。集中力量辦大事,即便面臨西方國(guó)家的技術(shù)封鎖和惡意阻撓,筆者相信在多方的努力下國(guó)產(chǎn)芯片未來可期。
(責(zé)任編輯:fqj)
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