存儲行業(yè)近兩年的變化非常大,在內(nèi)存行業(yè)來看,包括SK Hynix在內(nèi)的多家內(nèi)存大廠,已經(jīng)開始了首批DDR5存儲器新品的研發(fā)試驗。
在CES 2020上,SK Hynix展示了具有ECC校驗的64GB DDR5 RDIMM內(nèi)存模組。其型號為HMCA8GR8MJR4C-EB,標稱數(shù)據(jù)傳輸速率為4800 MT/s 。該模組包含了20顆H5CNAG4NMJ存儲芯片,以及IDT P8900-Z2寄存器時鐘驅(qū)動器(RCD)。與2018年底的16GB RDIMM 產(chǎn)品相比,兩者的標記有些不同。
預(yù)計到明年,支持DDR5的硬件憑條將會面世。
責(zé)任編輯:gt
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
近日,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)市場傳來重磅消息,由于服務(wù)器需求持續(xù)強勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著,多家大廠決定在第三季度對DDR5內(nèi)存價格進行新一輪調(diào)整。據(jù)供應(yīng)鏈最新消息,三星電子與SK
發(fā)表于 08-21 15:40
?557次閱讀
近日,存儲芯片市場傳來重大消息,SK海力士正式通知市場,其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價15%至20%,這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于,SK海力士、美光、三星等
發(fā)表于 08-15 10:19
?648次閱讀
近日,據(jù)外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調(diào)15%至20%,這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴張,對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
發(fā)表于 08-14 15:40
?597次閱讀
M5513是一款適用于下一代DDR5多路復(fù)用列雙列直插存儲器的全包式存儲器測試系統(tǒng)
存儲器模塊(MR-DIMM)。該測試系統(tǒng)以極快的速度運行,是長期運行的理想解決方案
DIMM開發(fā)和
發(fā)表于 08-06 12:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)最近,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM技術(shù)標準即將推出。在標準正式發(fā)布之前,SK海力士、三星、美光等廠商已經(jīng)著手DDR
發(fā)表于 07-31 18:26
?5139次閱讀
DDR5標準JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時代基本內(nèi)存條上時鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對而言比較細。不知道你開始使用DDR5沒有,你有關(guān)
發(fā)表于 07-16 17:47
?1568次閱讀
據(jù)悉,現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量,
發(fā)表于 05-30 15:41
?789次閱讀
內(nèi)容來源:是德科技 ? ? 一、前 言 DDR SDRAM,是一一種雙數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)。作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)里最重要的核心部件之一,應(yīng)用十分廣泛。從消費類電子到商業(yè)
發(fā)表于 04-01 11:37
?925次閱讀
2021 年,JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標準,標志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules (DIMM) 的過渡。
發(fā)表于 03-17 09:50
?2755次閱讀
DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細比較這兩種內(nèi)存技術(shù),以幫助你選擇更
發(fā)表于 01-12 16:43
?7923次閱讀
和DDR5的主要特點。LPDDR5是為移動設(shè)備設(shè)計的內(nèi)存標準,它具有低功耗的特點,能夠提供高帶寬和大容量的存儲。而DDR5是桌面和服務(wù)器領(lǐng)域
發(fā)表于 01-04 10:22
?4242次閱讀
近日,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片(DDR5 RCD04),該芯片支持高達7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率,較
發(fā)表于 01-04 09:26
?608次閱讀
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
發(fā)表于 12-25 09:51
?16次下載
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加,為進一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤,DDR5引入了片上ECC技術(shù),將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部,提高可靠性并降
發(fā)表于 11-30 14:49
?364次閱讀
對于ddr5市場的發(fā)展,威剛表示,現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨,主要來自pc,隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高,明年上半年ddr5將超過ddr4,形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場上
發(fā)表于 11-24 10:38
?492次閱讀
評論