閃存芯片的三種分類：SLC、MLC、TLC

（文章來源：電腦據(jù)點(diǎn)）

用過U盤的同學(xué)應(yīng)該對U盤不陌生，有時(shí)候U盤老是壞，特別是做PE維護(hù)工具的同學(xué)，U盤應(yīng)該壞了很多次了，如此先了解一下U盤、固態(tài)硬盤的芯片顆粒；閃存芯片分為三類：SLC、MLC、TLC。

我們的U盤、硬盤閃存內(nèi)的一般都是SLC、MLC、TLC三種芯片顆粒，在買U盤、固態(tài)硬盤的時(shí)候就要多注意了，盡量在自己經(jīng)濟(jì)能力范圍內(nèi)買一個(gè)相對較好；

三種芯片顆粒的差別與SLC相比較，MLC生產(chǎn)成本較低，容量大。如果經(jīng)過改進(jìn)，MLC的讀寫性能應(yīng)該還可以進(jìn)一步提升。MLC架構(gòu)有許多缺點(diǎn)，首先是使用壽命較短，SLC架構(gòu)可以寫入10萬次，而MLC架構(gòu)只能承受約1萬次的寫入。其次就是存取速度慢，在當(dāng)前技術(shù)條件下，MLC芯片理論速度只能達(dá)到6MB左右。SLC架構(gòu)比MLC架構(gòu)要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價(jià)格超貴（約MLC 3倍以上的價(jià)格），約10萬次擦寫壽命；MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命；TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，當(dāng)前還沒有廠家能做到1000次。；需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù)，不是讀出的次數(shù)，因?yàn)樽x取對芯片的壽命影響不大；

SLC、MLC、TLC三代閃存的壽命差異：SLC 利用正、負(fù)兩種電荷 一個(gè)浮動?xùn)糯鎯?個(gè)bit的信息，約10萬次擦寫壽命。MLC 利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動?xùn)糯鎯?個(gè)bit的信息，約一萬次擦寫壽命，SLC-MLC【容量大了一倍，壽命縮短為1/10】。TLC 利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動?xùn)糯鎯?個(gè)bit的信息，約500-1000次擦寫壽命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20】。
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