存儲芯片或供不應求，將迎來新制程時代

歷經一年多的景氣循環(huán)，記憶體大廠庫存去化有成，加上供給端新增產能有限，今年受惠5G 時代來臨，供需將趨于平衡，甚至可望供不應求；隨著產業(yè)將迎來好年，臺廠今年也將陸續(xù)有新制程技術問世，搭上產業(yè)景氣步入上升循環(huán)的多頭行情。

過去一年多以來，DRAM 原廠去化庫存有成，除去年第3 季旺季需求順利啟動外，市場新產能也有限，在5G 需求帶動下，加上智慧音箱、4K/8K 電視、ADAS(先進駕駛輔助系統(tǒng))、物聯(lián)網與人工智能等，也將持續(xù)推升DRAM 需求，業(yè)者看好，今年DRAM 供需將趨于穩(wěn)定，下半年甚至可能供不應求。

NAND Flash 除供應商庫存持續(xù)下降、供給成長也保守，同樣受惠5G 需求驅動，加上筆電搭載SSD 比重與容量顯著提升，資料中心客戶也積極備貨，且次世代游戲主機將搭載SSD 規(guī)格提升等，均成為刺激NAND Flash 需求增溫的動能，今年NAND 價格可望走出去年雪崩慘況、穩(wěn)健向上，下半年也可能面臨供給短缺情況。

就在記憶體產業(yè)景氣將走出去年谷底之時，臺廠新制程技術也將在今年相繼問世。旺宏NOR Flash 與NAND Flash 產品線，一路走來均堅持自主研發(fā)技術，去年成功量產19 納米SLC NAND Flash，持續(xù)追趕NAND Flash 大廠腳步，第一批產品SLC NAND Flash 4GB 產品已出貨美國機上盒大客戶。

除SLC NAND 外，旺宏今年下半年將量產48 層3D NAND Flash，屆時游戲機大客戶也可望采用，旺宏并預計于2021 年量產96 層3D NAND、2022 年量產192 層3D NAND。

華邦電擁有工研院技轉背景，早期DRAM制程主要來自由英飛凌分割出來的奇夢達授權，但在奇夢達倒閉后，華邦電買下其46納米DRAM制程技術，成為其自主研發(fā)基礎，而后成功自主開發(fā)38奈米技術，并于2018年第4季開始小幅量產25納米DRAM制程技術。

然而，2018 年第3 季起，DRAM 產業(yè)受美中貿易影響，加上終端需求趨緩，且供給端集中在下半年開出，DRAM 價格在第4 季終結連9 季上揚態(tài)勢，而華邦電25 納米制程量產的時間點，剛好碰上DRAM 市況反轉。

受到DRAM 市況不佳影響，華邦電25 納米新制程轉進較為辛苦，客戶端驗證速度趨緩，價格壓力也更大，去年第2 季25 納米占整體DRAM 營收占比僅約2 %，但第3 季起受惠傳統(tǒng)旺季需求順利啟動，到第4 季時占比已成長至6%，惟受到DRAM 價格下滑沖擊，加上25 納米開發(fā)成本高，第4 季單季營運因此轉虧。

不過，華邦電看好，25 納米制程良率本季將趨于穩(wěn)定，新制程轉進可望逐步步入軌道；而為下世代20 納米技術做準備，華邦電也將在中科12 吋廠進行新制程研發(fā)，新設備裝機導入預計今年第2、3 季可望到位。

南亞科目前主力為20納米制程技術，來自美光授權，今年初并宣布成功開發(fā)出10納米級DRAM新型記憶胞技術，再度走回自主研發(fā)之路，第一代10納米級前導產品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5，涵蓋消費型、低功率與標準型產品，預計今年下半年陸續(xù)進入試產。

第二代10 納米級制程技術已進入研發(fā)階段，預計2022 年前試產，也會開發(fā)第三代10 納米級制程技術，確立下世代10 納米級DRAM 將采用自主研發(fā)技術，不再走授權，擺脫動輒上百億元的授權金與專利費用。

雖然目前臺廠在DRAM 與NAND Flash 市場，市占率仍不高，不過，隨著各家記憶體廠自主研發(fā)的新制程技術陸續(xù)量產，與大廠間的技術差距也逐步縮小，而受惠5G 商機推升產業(yè)需求揚升，今年記憶體將迎來好年，新制程技術的轉進也可望搭上這波景氣上升循環(huán)，趁勢起飛。