安世推采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品 擴(kuò)展市場(chǎng)領(lǐng)先低RDS（on） MOSFET性能

同時(shí)優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷

安世半導(dǎo)體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來(lái)最低RDS（on）的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS（on）的領(lǐng)先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現(xiàn)，并不影響最大漏極電流（ID（max））、安全工作區(qū)（SOA）或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。

很多應(yīng)用均需要超低RDS（on）器件，例如ORing、熱插拔、同步整流、電機(jī)控制與電池保護(hù)等，以便降低I2R損耗并提高效率。然而，某些具有類似Rdson值的同類器件，由于單元間距縮小，其SOA能力（衡量MOSFET安全工作區(qū)指標(biāo)）及Idmax額定電流需要降額。安世半導(dǎo)體的PSMNR51-25YLH MOSFET提供高達(dá)380A的最大額定電流。該參數(shù)對(duì)電機(jī)控制應(yīng)用尤為重要，因?yàn)殡姍C(jī)堵轉(zhuǎn)或失速的瞬間可能在短時(shí)間內(nèi)會(huì)導(dǎo)致很大的浪涌電流，而MOSFET必須承受此浪涌才能確保安全可靠的運(yùn)行。一些競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手僅提供計(jì)算出的ID（max），但安世半導(dǎo)體產(chǎn)品實(shí)測(cè)持續(xù)電流能力高達(dá)380A。

該器件采用安世半導(dǎo)體LFPAK56封裝兼容5×6mm Power-SO8封裝，提供高性能銅夾結(jié)構(gòu)，可吸收熱應(yīng)力，從而提高質(zhì)量和壽命可靠性。

安世半導(dǎo)體的功率MOSFET產(chǎn)品經(jīng)理Steven Waterhouse表示：“借助我們最新的NextPowerS3 MOSFET，意味著電源工程師現(xiàn)在比以前擁有更多的選擇來(lái)打造市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品——電池可以持續(xù)更長(zhǎng)時(shí)間，電機(jī)可以提供更大扭矩，服務(wù)器可以更加可靠?！?/p>

典型應(yīng)用包括：電池保護(hù)；直流無(wú)刷（BLDC）電機(jī)（全橋，三相拓?fù)洌?；ORing服務(wù)器電源、熱插拔和同步整流。