據(jù)外媒報道稱,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已經(jīng)完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術開發(fā),而這項技術用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器(eMRAM)。
eMRAM這種綜合了RAM內(nèi)存、NAND閃存的新型非易失性存儲介質(zhì)斷電后不會丟失數(shù)據(jù),寫入速度則數(shù)千倍于閃存,可以兼做內(nèi)存和硬盤,甚至統(tǒng)一兩者。同時很關鍵的是,它對制造工藝要求低,良品率也高得多,可以更好地控制成本,成品價格自然不會太離譜。
事實上,除了GlobalFoundries外,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究eMRAM。
GlobalFoundries表示,使用其22FDX和eMRAM工藝技術生產(chǎn)的測試芯片,在ECC關閉模式下,在-40°C到125°C的工作溫度下,具有10萬個周期的耐久性和10年的數(shù)據(jù)保持能力。
此外,GlobalFoundries的eMRAM測試產(chǎn)品還可以通過標準可靠性測試,包括LTOL(168小時)、HTOL(500小時)和5x焊料回流,故障率《1ppm,而生產(chǎn)中的的磁抗擾性問題也得到了有效解決。
責任編輯:wv
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