臺積電宣布將與博通聯(lián)手推出增強型CoWoS解決方案 最高可提供96GB的HBM內(nèi)存
如今半導體的制程工藝已經(jīng)進步到了7nm，再往后提升會越來越難。想要提升芯片性能還可以從晶圓封裝上下文章。
此前臺積電曾推出過CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術，將邏輯芯片和DRAM 放在硅中介層（interposer）上，然后封裝在基板上。這是一種2.5D/3D封裝工藝，可以讓芯片尺寸更小，同時擁有更高的I/O帶寬。不過由于成本較普通封裝高了數(shù)倍，目前采用的客戶并不多。
3月3日，臺積電宣布將與博通公司聯(lián)手推出增強型的CoWoS解決方案，支持業(yè)界首創(chuàng)的兩倍光罩尺寸（2Xreticlesize）之中介層，面積約1，700平方毫米。
新的增強型CoWoS平臺能夠容納將多個邏輯系統(tǒng)單晶片（SoC），最高提供96GB的HBM內(nèi)存（6片），帶寬高達2.7TB/s。相較于前代CoWoS提升了2.7倍。如果是和PC內(nèi)存相比，提升幅度在50~100倍之間。
臺積電表示此項新世代CoWoS平臺能夠大幅提升運算能力，藉由更多的系統(tǒng)單芯片來支援先進的高效能運算系統(tǒng)，并且已準備就緒支援臺積電下一代的5納米制程技術。
博通Engineering for the ASIC Products Division副總裁GregDix表示，很高興能夠與臺積電合作共同精進CoWoS平臺，解決許多在7nm及更先進制程上的設計挑戰(zhàn)。
責任編輯：wv
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