0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

泛林集團發(fā)布了一項等離子刻蝕技術(shù)及系統(tǒng)解決方案

電子工程師 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:佚名 ? 2020-03-10 08:44 ? 次閱讀

近日,泛林集團發(fā)布了一項革新性的等離子刻蝕技術(shù)及系統(tǒng)解決方案,旨在為芯片制造商提供先進的功能和可擴展性,以滿足未來的創(chuàng)新需求。泛林集團開創(chuàng)性的Sense.i? 平臺基于小巧且高精度的架構(gòu),能提供無與倫比的系統(tǒng)智能,以實現(xiàn)最高生產(chǎn)率的工藝性能,為邏輯和存儲器件在未來十年的發(fā)展規(guī)劃打下了基礎(chǔ)。

以泛林集團行業(yè)領(lǐng)先的Kiyo?和Flex?工藝設(shè)備演變而來的核心技術(shù)為基礎(chǔ),Sense.i平臺提供了持續(xù)提升均勻性和刻蝕輪廓控制所必需的關(guān)鍵刻蝕技術(shù),以實現(xiàn)良率的最大化和更低的晶圓成本。隨著半導(dǎo)體器件的尺寸越來越小,深寬比越來越高,Sense.i平臺的設(shè)計旨在為未來的技術(shù)拐點提供支持。

基于泛林集團的Equipment Intelligence?(智能設(shè)備)技術(shù),具備自感知能力的Sense.i平臺使半導(dǎo)體制造商能夠采集并分析數(shù)據(jù)、識別模式和趨勢,并指定改善措施。Sense.i平臺還具備自主校準和維護功能,可減少停機時間和人工成本。該平臺的機器學(xué)習(xí)算法使設(shè)備能自適應(yīng)以實現(xiàn)工藝變化的最小化,以及晶圓產(chǎn)量的最大化。

Sense.i平臺具有革命性的緊湊型架構(gòu),通過將刻蝕輸出精度提升50%以上,幫助客戶達成未來的晶圓產(chǎn)量目標。隨著半導(dǎo)體制造商不斷開發(fā)更智能、更快速、更精細的芯片,工藝的復(fù)雜性和所需步驟也在與日俱增。這需要晶圓廠擁有更多的工藝腔室,因此降低了有限空間面積條件下的總產(chǎn)量。Sense.i平臺的占地面積更小,無論是新建晶圓廠或是正在進行節(jié)點技術(shù)轉(zhuǎn)換的現(xiàn)有晶圓廠都能從中獲益。

“此次推出的是泛林集團20年來研發(fā)的最具創(chuàng)新性的刻蝕產(chǎn)品,”泛林集團刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Vahid Vahedi表示,“Sense.i擴展了我們的技術(shù)路線圖,可以在滿足客戶下一代需求的同時,解決其在業(yè)務(wù)中面臨的嚴峻成本挑戰(zhàn)。每月有超過400萬片晶圓采用泛林集團的刻蝕系統(tǒng)進行加工,這一龐大的裝機數(shù)量為我們提供了豐富的經(jīng)驗,使我們得以研發(fā)、設(shè)計和生產(chǎn)出最佳的半導(dǎo)體制造設(shè)備?!?/p>

圖注:泛林集團全新的Sense.i刻蝕系統(tǒng)提供行業(yè)領(lǐng)先的生產(chǎn)率和創(chuàng)新的傳感技術(shù)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 智能設(shè)備
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    1040

    瀏覽量

    50341
  • 刻蝕
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    160

    瀏覽量

    12993
  • 泛林集團
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    58

    瀏覽量

    11797
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)解析

    主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù),其中包括離子刻蝕(IBE)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、以及后來基于高密度
    的頭像 發(fā)表于 10-18 15:20 ?322次閱讀
    半導(dǎo)體干法<b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析

    等離子燃燒設(shè)備監(jiān)控與能耗優(yōu)化系統(tǒng)方案

    等離子燃燒技術(shù)是指采用直流空氣等離子體作為點火源,實現(xiàn)鍋爐的冷態(tài)啟動不用滴油的無油點火的燃燒技術(shù),其好處是能夠?qū)崿F(xiàn)局部高溫區(qū),具備無需燃料
    的頭像 發(fā)表于 08-22 15:58 ?203次閱讀

    集團推出第三代低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cryo 3.0,助力3D NAND邁向千層新紀元

    在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,美國領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商集團(Lam Research)再次引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新,正式推出其經(jīng)過嚴格生產(chǎn)驗證的第三代低溫電介質(zhì)蝕刻
    的頭像 發(fā)表于 08-05 09:31 ?716次閱讀

    集團推出第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0

    半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)集團(Lam Research)近日震撼發(fā)布其專為3D NAND Flash存儲器制造設(shè)計的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)——
    的頭像 發(fā)表于 08-02 15:53 ?624次閱讀

    集團與印度簽署備忘錄,提供虛擬化軟件、芯片制造及代工服務(wù)培訓(xùn)

    該協(xié)議內(nèi)容主要涉及集團與印度半導(dǎo)體團隊以及印度科學(xué)研究院的三方合作。集團將為Semive
    的頭像 發(fā)表于 04-16 16:53 ?649次閱讀

    等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢介紹

    刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差,側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差,通常用于
    的頭像 發(fā)表于 04-12 11:41 ?4272次閱讀
    <b class='flag-5'>等離子</b><b class='flag-5'>刻蝕</b>ICP和CCP優(yōu)勢介紹

    淺析反應(yīng)離子刻蝕工藝技術(shù)

    刻蝕氣體在等離子體中分解電離,形成離子和自由基等刻蝕類物質(zhì),稱為Enchant → Enchant到達晶圓表面的過程。
    的頭像 發(fā)表于 03-27 16:11 ?2190次閱讀
    淺析反應(yīng)<b class='flag-5'>離子刻蝕</b>工藝<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    集團積極實施供應(yīng)鏈多元化戰(zhàn)略,越南將扮演關(guān)鍵角色

    據(jù)報道,2023年中國市場對集團的貢獻降至26%,而2022年這比例為31%。
    的頭像 發(fā)表于 03-22 15:55 ?669次閱讀

    集團韓國公司業(yè)務(wù)總裁變更,面臨日電競爭與與P的合作挑戰(zhàn)

    韓國分公司新掌門人Park Joon-hong此前能在集團擔(dān)任多個關(guān)鍵職位,如蝕刻首席技術(shù)官及客戶關(guān)系主管。他有能力領(lǐng)導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 02-20 14:42 ?766次閱讀

    集團業(yè)績創(chuàng)新高,中國市場占比48%

    Yahoo Finance網(wǎng)站顯示,分析師預(yù)期集團第二季營收、Non-GAAP每股稀釋盈余各為37.1億美元、7.1美元。
    的頭像 發(fā)表于 01-26 14:20 ?822次閱讀
    <b class='flag-5'>泛</b><b class='flag-5'>林</b><b class='flag-5'>集團</b>業(yè)績創(chuàng)新高,中國市場占比48%

    干法刻蝕常用設(shè)備的原理及結(jié)構(gòu)

    干法刻蝕技術(shù)種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程,通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分,通過掩膜和
    的頭像 發(fā)表于 01-20 10:24 ?6270次閱讀
    干法<b class='flag-5'>刻蝕</b>常用設(shè)備的原理及結(jié)構(gòu)

    刻蝕終點探測進行原位測量

    使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者:集團 Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 01-19 16:02 ?529次閱讀
    為<b class='flag-5'>刻蝕</b>終點探測進行原位測量

    電感耦合等離子刻蝕

    眾所周知,化合物半導(dǎo)體中不同的原子比對材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對蝕刻速率和表面形態(tài)的精確控制,通過使用低至25nm的薄器件阻擋層的,從而增加了制造的復(fù)雜性。本研究對比了三氯化硼與氯氣的偏置功率,以及氣體比對等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
    的頭像 發(fā)表于 12-15 14:28 ?527次閱讀
    電感耦合<b class='flag-5'>等離子</b><b class='flag-5'>刻蝕</b>

    無標記等離子體納米成像新技術(shù)

    ? 種使用等離子體激元的新型成像技術(shù)能夠以增強的靈敏度觀察納米顆粒。休斯頓大學(xué)納米生物光子學(xué)實驗室的石偉川教授和他的同事正在研究納米材料和設(shè)備在生物醫(yī)學(xué)、能源和環(huán)境方面的應(yīng)用。該小組利用等離
    的頭像 發(fā)表于 11-27 06:35 ?331次閱讀

    集團如何助力觸覺技術(shù)的實現(xiàn)

    試著想象場沉浸式的虛擬體驗:在探索數(shù)字世界的時候,你的觸覺似乎與感受到的景象和聲音樣真實。盡管切只存在于網(wǎng)絡(luò)空間中,但你可以感受到用手接球、或者在虛擬鍵盤上敲字的感覺。這種感覺需要觸覺
    的頭像 發(fā)表于 11-15 16:40 ?344次閱讀
    <b class='flag-5'>泛</b><b class='flag-5'>林</b><b class='flag-5'>集團</b>如何助力觸覺<b class='flag-5'>技術(shù)</b>的實現(xiàn)