該GaN功率器件可以應(yīng)用在快速充電設(shè)備中, 令其避免出現(xiàn)受高溫熔斷的情況,進而確保此功率器件在進行快速充電時能夠很好的運行使用。
集微網(wǎng)消息,我們使用的手機充電器中常用的功率器件就是三極管,其主要用于功率開關(guān)管,即能承受較大電流,漏電流較小,在一定條件下有較好飽和導(dǎo)通及截止特性的三極管,而若是用于快速充電,則其通過的電流相對較大,因此會令其產(chǎn)生較多的熱量,現(xiàn)有的三極管均會裝有相應(yīng)的散熱部,但其主要是對于基板及芯片進行散熱,而引腳與基板及芯片連接時通常使用金屬導(dǎo)線實現(xiàn)連接,因此其在工作中,引腳及金屬導(dǎo)線處的熱量會出現(xiàn)散出不及時的情況,特別對于金屬導(dǎo)線處,承受高溫較長時間,會令其燒斷,進而令此功率器件失效。
如果能夠設(shè)計一種對引腳與基板及芯片之間連接用的金屬導(dǎo)線進行有效散熱的功率器件,就可以解決此類問題,為此,同輝電子申請了一項名為“一種應(yīng)用于快速充電的GaN功率器件”(申請?zhí)?201920241611 .3)的實用新型專利,申請人為同輝電子科技股份有限公司。
圖1 GaN功率器件剖視圖
上圖為此專利中提出用于快速充電的GaN功率器件剖視圖,整個器件都圍繞基板1來完成。
可以看到在基板1的上側(cè)壁固定安裝的是氮化鎵芯片2,而在基板1的下側(cè)壁固定安裝金屬板3,金屬板3主要用來將基板1及氮化鎵芯片2處的熱量導(dǎo)走。我們通過固定在金屬板3上面的封裝體4將基板1和氮化鎵芯片2封裝在內(nèi),封裝體4可以實現(xiàn)對基板1及氮化鎵芯片2處進行保護。
另外在封裝體4的左側(cè)壁嵌入有引腳5,引腳5與基板1或氮化鎵芯片2之間固定連接有金屬導(dǎo)線6,同時,引腳5還與外界電路板相連,并通過金屬導(dǎo)線6與基板1和氮化鎵芯片2相連,金屬導(dǎo)線6的外側(cè)壁套接有導(dǎo)熱硅膠管7、導(dǎo)熱環(huán)8以及第一導(dǎo)熱桿9。封裝體4的上側(cè)壁還固定安裝散熱裝置10,散熱裝置10可以將封裝體4上側(cè)的熱量散出。
該GaN功率器件可以應(yīng)用在快速充電設(shè)備中,在使用時,基板1及氮化鎵芯片2處產(chǎn)生的熱量通過導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂層18后從金屬板3導(dǎo)出實現(xiàn)散熱,引腳5處產(chǎn)生的熱量通過導(dǎo)熱硅膠板13和第二導(dǎo)熱桿14后從散熱裝置10處散出,且通過隔板11的隔熱作用,使引腳5處產(chǎn)生的熱量中的大部分不會傳導(dǎo)到金屬導(dǎo)線6處,而金屬導(dǎo)線6處的熱量經(jīng)過導(dǎo)熱硅膠管7、導(dǎo)熱環(huán)8和第一導(dǎo)熱桿9后,一部分從金屬板3處散出,一部分從散熱裝置10處散出,實現(xiàn)金屬導(dǎo)線6及整體的散熱,對金屬導(dǎo)線6處實現(xiàn)高溫下的保護,令其避免出現(xiàn)受高溫熔斷的情況,進而確保此功率器件在進行快速充電時能夠很好的運行使用。
-
三極管
+關(guān)注
關(guān)注
142文章
3564瀏覽量
120961 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
1888瀏覽量
71194
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論