今日,三星電子宣布已開(kāi)始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存,可用于手機(jī)、平板等。
相較上一代eUFS 3.0(512GB)閃存產(chǎn)品,新款的寫(xiě)速提升了200%,達(dá)到了驚人的1200MB/s,比用于PC的傳統(tǒng)SATA3 SSD(540MB/s)和UHS-I microSD存儲(chǔ)卡(90MB/s),可謂巨大的升級(jí),可消除8K、5G時(shí)代下的存儲(chǔ)瓶頸。
其它性能參數(shù)還包括,連續(xù)讀取速度可達(dá)2100MB/s,隨機(jī)讀取速度就100K IOPS,隨機(jī)寫(xiě)入速度70K IOPS。
當(dāng)然,這批新的eUFS 3.1閃存還有128GB和256GB容量。
另外,三星還透露,其位于中國(guó)西安市的X2線則已于本月開(kāi)始生產(chǎn)第五代V-NAND(9x層),韓國(guó)平澤市的P1線將很快轉(zhuǎn)向第六代V-NAND閃存(1xx層)芯片的量產(chǎn),以滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。
此前,西部數(shù)據(jù)、鎧俠(原東芝存儲(chǔ))也介紹了UFS 3.1閃存產(chǎn)品,但都是出樣,沒(méi)有達(dá)到量產(chǎn)程度。
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