新一代STT-MRAM升級(jí)到12nm，適用于各種嵌入式領(lǐng)域

GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。

MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，但同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的優(yōu)點(diǎn)。

STT-MRAM則進(jìn)一步通過自旋電流實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)寫入，具備結(jié)構(gòu)簡單、成本低、損耗小、速度快等一系列優(yōu)點(diǎn)，只是容量密度提升困難，所以想取代內(nèi)存、閃存暫時(shí)不現(xiàn)實(shí)，但非常適合用在各種嵌入式領(lǐng)域。

GF、Everspin的良好合作由來已久，2012年的第一代STT-MRAM就是用GF 40nm制造的，單顆容量32MB，2019年的第二代則升級(jí)為GF 28nm，單顆容量翻了兩番達(dá)到128MB。就在日前，GF 22FDX工藝成功試產(chǎn)了eMRAM，-40℃到125℃環(huán)境下可工作10萬個(gè)周期，數(shù)據(jù)保持可長達(dá)10年。

進(jìn)一步升級(jí)到12nm，自然有利于進(jìn)一步提升MRAM的容量密度，并繼續(xù)降低成本，尤其是隨著MRAM芯片容量的提高，迫切需要更先進(jìn)的工藝。

GF 12nm工藝包括12LP、12LP+兩個(gè)版本，雖然算不上多先進(jìn)但也有廣闊的用武之地，尤其適合控制器、微控制器等，比如群聯(lián)電子、Sage的不少企業(yè)級(jí)SSD主控都計(jì)劃加入eMRAM，從而提升性能、降低延遲、提高QoS。雖然大家可能覺得沒見過MRAM，不過Everspin宣稱已經(jīng)向100多家客戶出貨了1.25億顆MRAM芯片，還援引報(bào)告稱到2029年獨(dú)立MRAM芯片銷售額可達(dá)40億美元。

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