中芯國(guó)際官方解釋N+1工藝，預(yù)計(jì)第四季度有限量產(chǎn)

日前中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博士首次公開(kāi)了中芯國(guó)際N+1、N+2代工藝的情況，透露N+1工藝相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%，SoC面積縮小55%，之后的N+2工藝性能和成本都更高一些。

業(yè)界普遍認(rèn)為，中芯國(guó)際N+1工藝相當(dāng)于臺(tái)積電第一代7nm工藝，N+2則相當(dāng)于臺(tái)積電7nm+，重點(diǎn)在提升性能，年底即可量產(chǎn)。

今天，中芯國(guó)際相關(guān)人士詳細(xì)解釋了N+1工藝，也澄清了一些誤會(huì)。

首先需要強(qiáng)調(diào)的是，N+1是中芯國(guó)際的內(nèi)部代號(hào)，并不等于7nm。

據(jù)介紹，中芯國(guó)際N+1工藝在去年第四季度完成流片，目前正處于客戶產(chǎn)品驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)第四季度有限量產(chǎn)。

與市場(chǎng)上的7nm相比，中芯國(guó)際N+1在功耗、穩(wěn)定性方面非常相似，唯一的區(qū)別就是性能，N+1的性能比14nm提高了約20%，但市場(chǎng)基準(zhǔn)提升幅度是35%，所以有差距，但這也是唯一的差距。

如果是從功耗、穩(wěn)定性方面而言，可以將中芯國(guó)際N+1稱(chēng)為7nm，而在性能方面確實(shí)要比7nm差。

中芯國(guó)際對(duì)N+1的目標(biāo)是低成本應(yīng)用，可以將成本相對(duì)市場(chǎng)上的7nm減少大約10%，因此是一個(gè)非常特殊的工藝節(jié)點(diǎn)。

從中芯國(guó)際的表態(tài)看，N+1更類(lèi)似于臺(tái)積電、三星的10nm，或者有點(diǎn)像三星的8nm，因?yàn)?0%的性能提升幅度遠(yuǎn)低于臺(tái)積電預(yù)計(jì)的30%、實(shí)際的35%。

至于N+2工藝，與市場(chǎng)7nm更為接近，尤其是穩(wěn)定性，但是性能仍然略遜一籌。

另外隨著臺(tái)積電、三星陸續(xù)導(dǎo)入EUV極紫外光刻，中芯國(guó)際也在加速推進(jìn)，但是梁孟松曾明確表示，中芯國(guó)際無(wú)需EUV就能達(dá)成7nm，當(dāng)然后續(xù)的5nm、3nm是必須要有EUV的。

其實(shí)，臺(tái)積電第一代7nm也沒(méi)有用EUV而是繼續(xù)傳統(tǒng)DUV，7nm+才有限導(dǎo)入EUV，幾十層光罩中只有幾層使用。

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