三星宣布推出業(yè)界首款EUV DRAM，首批交付100萬(wàn)個(gè)

三星出貨EUV級(jí)DDR4 DRAM模組

3月25日消息三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶(hù)評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。

IT之家了解到，三星是第一個(gè)在DRAM生產(chǎn)中采用EUV來(lái)克服DRAM擴(kuò)展方面的挑戰(zhàn)的廠(chǎng)商。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。

從第四代10nm級(jí)（D1a）或高度先進(jìn)的14nm級(jí)DRAM開(kāi)始，EUV將全面部署在三星未來(lái)幾代DRAM中。三星預(yù)計(jì)明年開(kāi)始批量生產(chǎn)基于D1a的DDR5和LPDDR5，這將使12英寸D1x晶圓的生產(chǎn)效率提高一倍。為了更好地滿(mǎn)足對(duì)下一代高端DRAM日益增長(zhǎng)的需求，三星將在今年下半年內(nèi)在韓國(guó)平澤市啟動(dòng)第二條半導(dǎo)體制造線(xiàn)的運(yùn)營(yíng)。

EUV設(shè)備在半導(dǎo)體競(jìng)賽中不可或缺

為了應(yīng)付半導(dǎo)體制程微縮，因此有了EUV設(shè)備與技術(shù)。使用EUV 技術(shù)后，除了同樣制程的情況下，可將電晶體密度提升，同頻率下功耗降低，且因?yàn)橹瞥涛⒖s，使得單位位元數(shù)產(chǎn)出增加，降低光罩用量，如此就可降低成本。

不過(guò)EUV設(shè)備昂貴，過(guò)去DRAM價(jià)格居高不下的時(shí)期，各家DRAM廠(chǎng)商擴(kuò)大產(chǎn)能都來(lái)不及，暫時(shí)不考慮目前制程導(dǎo)入EUV技術(shù)。

DRAM市場(chǎng)供給過(guò)剩導(dǎo)致價(jià)格不斷下跌的情況持續(xù)。DRAM廠(chǎng)雖然盡量減產(chǎn)，但仍然無(wú)法讓價(jià)格明顯止跌。因此，唯一能維持獲利的方法就是微縮制程來(lái)降低單位生產(chǎn)成本。不過(guò)，DRAM制程向1z 納米或1α 納米制程推進(jìn)的難度愈來(lái)愈高，隨著EUV量產(chǎn)技術(shù)獲得突破，將可有效降低DRAM的生產(chǎn)成本。

三星采用EUV 技術(shù)的1z 納米DRAM，量產(chǎn)初期將與三星晶圓代工共用EUV設(shè)備，初期使用量雖不大，但卻等于宣示DRAM微影技術(shù)會(huì)開(kāi)始向EUV的方向發(fā)展。

三星的1z 納米屬于第三代10納米級(jí)的制程，10納米級(jí)的制程并不是10納米制程，而是由于20納米制程節(jié)點(diǎn)之后的DRAM制程升級(jí)變得困難，所以DRAM記憶體制程的線(xiàn)寬指標(biāo)不再那么精確，于是有了1x 納米、1y 納米及1z 納米等制程節(jié)點(diǎn)之分。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，1x 納米制程相當(dāng)于16 到19 納米，1y 納米制程相當(dāng)于14到16納米，1z 納米制程則是大概為12到14納米制程的等級(jí)，而在這之后還有1α 及1β 納米制程節(jié)點(diǎn)。

由于，先進(jìn)制程采用EUV微影技術(shù)已是趨勢(shì)，隨著制程持續(xù)推進(jìn)至5納米或3納米節(jié)點(diǎn)之后，預(yù)期對(duì)EUV的需求也會(huì)越來(lái)越大，EUV設(shè)備已將成為半導(dǎo)體軍備競(jìng)賽中不可或缺的要項(xiàng)。

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