物聯(lián)網(wǎng)ram繼承PSRAM的積極特性

IoT RAM即是物聯(lián)網(wǎng)RAM,是基于PSRAM技術(shù)的技術(shù)，它增加了其他接口選項，例如大多數(shù)MCU/FPGA使用的低引腳數(shù)Flash SPI接口，以及SoC需要的易于使用的系統(tǒng)級封裝（SiP）選項比內(nèi)部SRAM更大的內(nèi)存。

物聯(lián)網(wǎng)ram繼承了PSRAM的積極特性-結(jié)合了一個相對簡單的SRAM接口和DRAM存儲單元技術(shù)，該接口簡化了產(chǎn)品設(shè)計，與SRAM相比降低了產(chǎn)品成本（降低了10倍），并且與SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM還具有低延遲–允許從超低功耗模式快速喚醒和快速上電時間；也可以從待機模式瞬時喚醒；IoT RAM還允許超低電流消耗–通常<0.15至0。5uA/Mb取決于密度。密度越高，固定功率開銷趨勢就越低。

圖1 IoT RAM在需要擴展內(nèi)存的IoT/嵌入式應(yīng)用程序中占據(jù)了最佳中間地帶

由于PSRAM解決了與IoT/嵌入式應(yīng)用中類似的設(shè)計約束，因此可以在功能電話產(chǎn)品中找到一席之地。物聯(lián)網(wǎng)RAM基于PSRAM并通過低引腳數(shù)SPI或SiP選項進行接口，是需要性能，低成本和響應(yīng)性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解決方案的理想選擇。利用低引腳數(shù)的SPI接口，可以進一步提高基于MCU/SoC/FPGA的設(shè)備的系統(tǒng)成本效率。

AP Memory具有成本效益的IoT RAM解決方案與大多數(shù)MCU/SoC/FPGA隨附的SPI接口兼容，包括Quad-SPI和Octal-SPI接口。通過“系統(tǒng)級封裝”（SiP）選項，AP內(nèi)存啟用了“超越摩爾”，這是增加系統(tǒng)內(nèi)存的另一種方法。業(yè)界領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商AP Memory授權(quán)英尚微電子成為其核心一級代理商，提供的IoT RAM器件具有高速，低引腳數(shù)接口，它最適合于低功耗和低成本便攜式應(yīng)用。

AP Memory IoT RAM型號表