0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

QLC閃存至少四代 成本或降低

汽車玩家 ? 來源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2020-04-01 08:30 ? 次閱讀

從去年底到現(xiàn)在,NAND閃存價(jià)格止跌回升,連帶著SSD硬盤價(jià)格也上漲了不少,現(xiàn)在1TB容量的SSD全面回到了千元甚至更高價(jià)位。什么時(shí)候1TB SSD硬盤才能降到300多元呢?這還得再等等,需要第四代QLC閃存了。

雖然大家都喜歡SLC、MLC閃存,對(duì)TLC不感冒,對(duì)最新的QLC閃存甚至厭惡,但是QLC閃存是SSD硬盤提升容量、降低成本的必由之路,除非大家真的不需要2TB甚至4TB的SSD硬盤。

日本PCWatch網(wǎng)站日前分析了NADN閃存的發(fā)展趨勢(shì),他們指出QLC閃存會(huì)發(fā)展出至少四代,第一代是Intel 2018年發(fā)布的QLC閃存硬盤660P為代表,64層堆棧。

不過第一代QLC閃存不論性能還是可靠性都有所欠缺,2019年Intel推出的665P硬盤使用的是第二代QLC閃存了,堆棧層96層,同時(shí)性能及可靠性大幅提升,1TB版收入壽命從200TBW提升到了300TBW。

第三代QLC閃存是去年底到現(xiàn)在才陸續(xù)發(fā)布的,堆棧層數(shù)達(dá)到144層,存儲(chǔ)密度相比96層堆棧增加了1.5倍,他們直接用于SSD硬盤的話,1TB版名義售價(jià)會(huì)降至9300日元,實(shí)際售價(jià)在7000日元左右。

第四代QLC閃存堆棧層數(shù)會(huì)提升到192層,目前還沒發(fā)布,但存儲(chǔ)密度是144層堆棧的1.33倍,成本降低到之前的3/4水平,如此一來1TB SSD硬盤的名義價(jià)格是7000日元,實(shí)際售價(jià)約為5000日元,也就是327元人民幣。

總之,根據(jù)他們的計(jì)算,QLC閃存至少到第四代才能算是比較廉價(jià)的,1TB硬盤能做到300元出頭,比HDD硬盤略高一些,1000元差不多就能買到3TB版的SSD了。

可惜這個(gè)計(jì)算太理想化了,即便第四代QLC閃存成本能降低到那個(gè)程度,決定市場(chǎng)售價(jià)的也不全是成本,以現(xiàn)在的情況來看,1TB硬盤300元出頭的日子恐怕還要等至少2年。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1771

    瀏覽量

    114765
  • TLC
    TLC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    136

    瀏覽量

    51450
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    長江存儲(chǔ)PC41Q QLC固態(tài)硬盤評(píng)測(cè)

    長江存儲(chǔ)PC41Q是一款基于長江存儲(chǔ)第四代3DNAND芯片打造的QLC商用消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤,具有高性能、低功耗和更高能耗比的特點(diǎn)。這款SSD主要面向OEM市場(chǎng),適用于筆記本電腦、超薄本、臺(tái)式機(jī)和一體機(jī)等電腦終端。
    的頭像 發(fā)表于 11-06 18:20 ?254次閱讀
    長江存儲(chǔ)PC41Q <b class='flag-5'>QLC</b>固態(tài)硬盤評(píng)測(cè)

    鎧俠量產(chǎn)層單元QLC UFS 4.0閃存

    近日,鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用層單元(4LC)技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS,擁有更高的位密度,使其在存儲(chǔ)需求日益增長的移動(dòng)應(yīng)用程序領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 10-31 18:22 ?637次閱讀

    意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世

    意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí),意法半導(dǎo)體還針對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 10-12 11:30 ?430次閱讀

    意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術(shù)

    意法半導(dǎo)體(簡稱ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù),標(biāo)志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術(shù),在能效、功率密度和穩(wěn)健性方面均樹立了新的市場(chǎng)標(biāo)桿,將為汽車和工業(yè)市場(chǎng)帶來革命性的改變。
    的頭像 發(fā)表于 10-10 18:27 ?544次閱讀

    三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九V-NAND

    三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特(Tb)容量層單元(QLC)第九V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先,也預(yù)示著
    的頭像 發(fā)表于 09-12 16:27 ?476次閱讀

    富士康,布局第四代半導(dǎo)體

    來源:鉅亨網(wǎng) 鴻海(富士康)研究院半導(dǎo)體所,攜手陽明交大電子所,雙方研究團(tuán)隊(duì)在第四代化合物半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)上取得重大突破,提高了第四代半導(dǎo)體氧化鎵 (Ga2O3) 在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域的高壓耐受性
    的頭像 發(fā)表于 08-27 10:59 ?349次閱讀

    capsense第四代和第五在感應(yīng)模式上的具體區(qū)別是什么?

    據(jù)我所知,第五capsense相比第四代將電容(包括自電容+互電容技術(shù))和電感觸摸技術(shù)集成到了一起,snr信噪比是上一的十多倍,同時(shí)功耗僅是上一的十分之一。但是這張圖在感應(yīng)模式
    發(fā)表于 05-23 06:24

    禾賽正式發(fā)布基于第四代芯片架構(gòu)的超廣角遠(yuǎn)距激光雷達(dá)ATX

    ATX是一款平臺(tái)型產(chǎn)品,沿用AT平臺(tái)并搭載第四代芯片架構(gòu),升級(jí)了光機(jī)設(shè)計(jì)和激光收發(fā)模塊。
    的頭像 發(fā)表于 04-20 10:49 ?633次閱讀

    國民技術(shù)第四代可信計(jì)算芯片NS350正式投入量產(chǎn)

    2024年4月18日,國民技術(shù)第四代可信計(jì)算芯片NS350v32/v33系列產(chǎn)品正式發(fā)布并開始量產(chǎn)供貨。NS350v32/v33是一款高安全、高性能、超值可信密碼模塊2.0(TCM2.0)安全芯片
    的頭像 發(fā)表于 04-19 08:24 ?731次閱讀
    國民技術(shù)第<b class='flag-5'>四代</b>可信計(jì)算芯片NS350正式投入量產(chǎn)

    三星九V-NAND閃存月底量產(chǎn),堆疊層數(shù)將達(dá)290層

    據(jù)韓媒Hankyung透露,第九V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層,但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過,三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存,其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
    的頭像 發(fā)表于 04-12 16:05 ?806次閱讀

    長江存儲(chǔ)QLC閃存壽命實(shí)現(xiàn)重大突破

    根據(jù)官方介紹,長江存儲(chǔ)X3-6070 QLC閃存的IO接口傳輸速度達(dá)到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同時(shí)讀取、寫入速度都有著接近100%的提升。
    發(fā)表于 04-03 15:04 ?611次閱讀
    長江存儲(chǔ)<b class='flag-5'>QLC</b><b class='flag-5'>閃存</b>壽命實(shí)現(xiàn)重大突破

    艾邁斯2024四代產(chǎn)品手冊(cè)

    艾邁斯2024四代產(chǎn)品手冊(cè)
    發(fā)表于 03-26 09:36 ?2次下載

    蘋果iPhone 16 Pro系列1TB機(jī)型采用QLC閃存

    在存儲(chǔ)容量和成本的權(quán)衡下,據(jù)報(bào)道,蘋果 iPhone 16 Pro 系列的1TB機(jī)型可能將采用QLC NAND閃存。這一決策意味著成本降低,
    的頭像 發(fā)表于 01-18 20:02 ?1455次閱讀

    SK海力士擬將無錫C2工廠升級(jí)為第四代D-ram工藝,并引進(jìn)EUV技術(shù)

    Sk海力士期望通過在無錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程,隨后將芯片運(yùn)回韓國總部利川園區(qū)進(jìn)行EUV處理,最后送回?zé)o錫工廠進(jìn)行后續(xù)操作。盡管第四代產(chǎn)品僅需一層使用EUV工藝,但公司仍認(rèn)為增加的成本是合理可承受的。
    的頭像 發(fā)表于 01-16 14:06 ?954次閱讀

    漫談QLC其二:扛起NAND家族重任,老QLC

    漫談QLC其二:扛起NAND家族重任,老QLC
    的頭像 發(fā)表于 11-23 09:04 ?831次閱讀
    漫談<b class='flag-5'>QLC</b>其二:扛起NAND家族重任,老<b class='flag-5'>四</b><b class='flag-5'>QLC</b>