中芯國際重點轉向N+1及N+2代FinFET工藝，N+1工藝進入產品認證階段

國內最大的晶圓代工廠中芯國際昨晚發(fā)布了2019年報，營收31．16億美元，公司擁有人應占利潤為2．347億美元，同比增長75%。

中芯國際還提到14nm工藝在去年底量產，并貢獻了1%的營收。先進工藝正是中芯國際今年發(fā)展的重點，目前公司已經開發(fā)了14/12nm多種特色工藝平臺。

量產的14nm工藝已經可以滿足國內95%的芯片生產，根據之前的消息，中芯國際的14nm產能年底將達到15K晶圓/月，之后就不會大幅增長了，重點會轉向下一代工藝——N+1及N+2代FinFET工藝。

之前中芯國際聯席CEO梁孟松博士首次公開了中芯國際N+1、N+2代工藝的情況，透露N+1工藝相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%，SoC面積縮小55%，之后的N+2工藝性能和成本都更高一些。

外界認為中芯國際的N+1代工藝相當于臺積電的7nm工藝，不過中芯國際隨后澄清說，N+1是中芯國際的內部代號，并不等于7nm。

根據這個信息，N+1工藝跟業(yè)界公認的7nm工藝主要差距是性能，20%的性能增幅不如業(yè)界的35%性能提升，但其他指標差別不大。

在最新的年報會議上，中芯國際表示N+1工藝的研發(fā)進程穩(wěn)定，已進入客戶導入及產品認證階段。之前該公司表示去年底試產了N+1工藝，今年底會有限量產N+1工藝。

總之，即便中芯國際的N+1工藝在性能上還有一定差距，但是國產的7nm級工藝今年底就會問世了，這依然是一件大事。

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