4月8日消息,近日,SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111,是針對讀取密集型應(yīng)用設(shè)計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導(dǎo)體制造商,其產(chǎn)品組合中包括 DRAM,NAND 閃存和控制器,以及 SSD 的全套技術(shù)。
據(jù)悉,SSD PE8000 系列包括 PE8010、PE8030、PE8111 三款型號,這也是其首款 PCIe 4.0 SSD,無論存儲密度、容量還是性能都是世界一流的,甚至是超一流的。
PE8010 及 PE8030 是公司首款支持 PCIe Gen4 接口的 NVMe(Non-Volatile Memory express, 非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范)SSD。 兩款產(chǎn)品均采用了公司的 96 層 TLC(Triple-Level Cell)4D NAND 閃存和自研控制器,提供的最大容量高達 8TB,且同時支持 U.2/U.3 規(guī)格。PE8010 是專門針對讀取工作負載而設(shè)計的讀密集型產(chǎn)品,而 PE8030 則是為混合使用而優(yōu)化的一款混合型產(chǎn)品。
上述兩款產(chǎn)品在低功耗 PCIe Gen4 SSD 市場上以卓越的性能著稱。 PE8010 和 PE8030 均可提供高達 6,500MB / s 的順序讀取速度和高達 3,700MB / s 的順序?qū)懭胨俣?,并且每秒的隨機讀取和寫入速度(Input/output per second,IOPs)分別為 1,100K 和 320K 與公司于 2019 年推出的解決方案相比,PE8010 的順序讀取性能及隨機寫入性能分別提高了 103%和 357%,功耗同時被控制在最高 17W 以內(nèi)。這兩款產(chǎn)品將本月開始向客戶提供樣品。
另外,PE8111 企業(yè)級 SSD 是針對讀取密集型應(yīng)用設(shè)計的高容量存儲解決方案,該產(chǎn)品采用了 SK 海力士尖端技術(shù)的精髓 -- 世界首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存。目前公司正在開發(fā)支持 EDSFF(Enterprise & Data Center SSD Form Factor) 1U Long(E1.L)新規(guī)格的 16TB 容量 PE8111 產(chǎn)品,并計劃在未來開發(fā) 32TB 容量版本的 PE8111.SK 海力士計劃從今年下半年開始對 16TB PE8111 企業(yè)級 SSD 進行送樣(Sampling)。
PE8111 是針對 Open Compute Project(OCP)存儲平臺進行過優(yōu)化的產(chǎn)品。該產(chǎn)品的順序讀取、寫入速度最高分別可達 3,400MB/s、3,000MB/s,而隨機寫入、讀取速度則最高分別可達 700K、100K IOPs. 值得關(guān)注的是, 該解決方案使用 128 層 1Tb TLC NAND,與基于 512Gb NAND 閃存的解決方案相比,能夠在一半面積的 NAND Die 上實現(xiàn)同樣容量。因此,該解決方案具有卓越的性能、功耗, 性價比等方面均能夠占據(jù)企業(yè)級 SSD 市場的主導(dǎo)地位。
PE8010、PE8030都配備了SK海力士自產(chǎn)的96層堆疊4D TLC NAND閃存顆粒,搭配自研主控,最大容量8TB,兼容U.2、U.3接口,其中PE8010面向讀取密集型應(yīng)用,PE8030則為讀寫混合應(yīng)用而優(yōu)化。
性能方面,持續(xù)讀寫速度最高均可達8.3GB/s、3.7GB/s,隨機讀寫速度最高則可達1100K IOPS、320K IOPS。
相比于去年的上代產(chǎn)品,持續(xù)讀取性能提升103%,隨機寫入性能提升357%,另外最大功耗為17W。
PE8111則是針對讀取密集型負載的超大容量版本,應(yīng)用了世界第一的128層堆疊4D TLC NAND閃存顆粒,單顆容量1Tb(128GB),相比于上一代的512Gb顆粒只需一半數(shù)量的閃存芯片就可以達成同等容量,同樣數(shù)量閃存芯片則容量輕松翻番。
PE8111現(xiàn)有最大容量為16TB,E1.L接口形態(tài),同時正在開發(fā)32TB版本。
它特別針對OCP(開放計算項目)存儲平臺而優(yōu)化,持續(xù)讀寫速度最高3.4GB/s、3.0GB/s,隨機讀寫速度最高700K IOPS、100K IOPS。
SK海力士表示,PE8010、PE8030 SSD已經(jīng)向客戶出樣,PE8111下半年出樣。
而隨著 3D NAND 技術(shù)的快速發(fā)展,三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK 海力士等均已研發(fā)出 100 層+3D NAND 技術(shù)。
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