威剛導(dǎo)入長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR4顆粒，國(guó)產(chǎn)內(nèi)存開始發(fā)力

今年2月底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方宣布，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正國(guó)產(chǎn)，并采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造。

就在日前，基于長(zhǎng)鑫芯片的光威弈PRO內(nèi)存產(chǎn)品上架，單條容量8/16GB，頻率3000MHz，時(shí)序16-18-18-38，無需散熱馬甲。

5月21日，全球第二大內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)品牌威剛科技宣布，將在中國(guó)市場(chǎng)導(dǎo)入長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的高質(zhì)量、高效能內(nèi)存顆粒，包括桌面級(jí)U-DIMM、筆記本級(jí)SO-DIMM，并搭配威剛嚴(yán)格的兼容性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，可完美兼容于目前市面上的各式臺(tái)式機(jī)、筆記本。

此外，威剛還將陸續(xù)推出符合游戲、超頻、行業(yè)的各種國(guó)產(chǎn)芯片內(nèi)存產(chǎn)品，全面滿足主流用戶、電競(jìng)玩家、超頻玩家、專業(yè)用戶的需求。

威剛指出，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的8GbDDR4內(nèi)存芯片，均以10nm級(jí)工藝，經(jīng)過多次優(yōu)化，制程工藝已達(dá)國(guó)際主流水平，并符合JEDEC設(shè)計(jì)生產(chǎn)規(guī)范、RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

同時(shí)，威剛針對(duì)長(zhǎng)鑫內(nèi)存顆粒進(jìn)了行一系列兼容性測(cè)試，不論是Intel、AMD的主流或最新平臺(tái)，不論是單通道、雙通道模式，都順利通過，而且經(jīng)過嚴(yán)格篩選后的內(nèi)存芯片，具有令人期待的超頻潛力。

再加上威剛長(zhǎng)期深耕國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)，與上下游合作伙伴有厚實(shí)的良好關(guān)系、渠道營(yíng)銷資源，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)能靠上如此一棵大樹，未來可期。

除了威剛之外，江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE也宣布推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存，分別為DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB，核心DRAM均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒，并且從原材料供應(yīng)到生產(chǎn)制造，皆為本土企業(yè)在國(guó)內(nèi)完成。

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