近日,中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心副研究員楊妍與武漢大學(xué)教授鄭國興課題組、武漢郵電科學(xué)研究院有限公司等合作,在硅基超表面領(lǐng)域取得研究進展,提出了一種助于空間頻率復(fù)用的技術(shù),在一個硅基超表面上重疊的空間區(qū)域,利用空頻信息不同、同時記錄兩幅完全不同的光學(xué)圖像,并可用數(shù)字濾波器進行高效的分離。該成果為光信息的傳輸、處理和存儲增添了更多的復(fù)用載體,為超表面信息復(fù)用開辟了一條全新的途徑,有望在高端防偽、信息安全、光信息編碼、緊湊顯示、光存儲等領(lǐng)域得到重要應(yīng)用。
圖1 超表面空間頻率復(fù)用技術(shù)示意圖和測試結(jié)果
圖2 基于納米磚結(jié)構(gòu)的硅基超表面電鏡圖
超表面材料是二維分布的亞波長結(jié)構(gòu)陣列,可對光波的相位、振幅和光強進行有效調(diào)控。超表面的光學(xué)響應(yīng)通常依賴于色散和偏振,因此,研發(fā)利用波長和偏振特性的信息復(fù)用系統(tǒng)成為可能。然而,大部分超表面復(fù)用技術(shù)只在空間域內(nèi)實現(xiàn)。該研究通過實驗驗證了一種空頻復(fù)用的硅基超表面芯片,將兩張完全不同的全息圖片在高、低空間頻率上重疊并記錄在同一個硅基超表面芯片上,這兩幅全息圖片可采用兩個數(shù)字高斯濾波器進行分離。實驗還通過超表面納米印驗證了空頻復(fù)用技術(shù),對一副由兩張圖片疊加的圖片實現(xiàn)了高保真度的解復(fù)用。
這項工作依托于中科院微電子所先導(dǎo)中心8英寸硅光平臺實現(xiàn)了基于Silicon-on-Insulator (SOI)晶圓微納工藝技術(shù)的硅基超表面芯片的工藝制備。
責(zé)任編輯:pj
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