安世半導體2020年首發(fā)氮化鎵新品，透露了哪些信息？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）最近，聞泰科技發(fā)布公告稱將進一步收購安世剩余股權，并將增資為安世半導體進行工藝升級等項目。而在年初，安世半導體也任命了張學政為首席執(zhí)行官。這家以汽車用功率半導體而著稱的公司，在第三代半導體氮化鎵的技術和產(chǎn)品推進上，又有了新的動作。

安世每年交付900多億件、15000種產(chǎn)品，聞泰進一步收購并計劃擴產(chǎn)

2019年安世半導體的年銷售額達到14.3億美元，公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC，占全球市場份額為14.2%。每年可提供超過15000種產(chǎn)品，每年新增800余種產(chǎn)品。

Nexperia每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴苛標準。安世的產(chǎn)品著眼于汽車、微型化、能效以及保護等當下與未來的挑戰(zhàn)。

安世擁有自己的2家前道和3家后道制造廠，2家前道工廠分別位于德國漢堡，英國曼徹斯特。3家后道工廠分別位于中國廣東，菲律賓卡布堯，馬來西亞芙蓉市。超過12000名員工，為客戶提供全球支持。

聞泰科技在今年一季報并公告稱擬收購安世剩余20%的股權，安世集團整合進一步加強，公告定增加支付現(xiàn)金的形式收購少數(shù)股東權益，交易完成后聞泰將持有安世集團98.23%的股權。

今年3月月，Nexperia對外宣布，現(xiàn)任Nexperia董事會主席的張學政將擔任首席執(zhí)行官。

另外，聞泰擬募資用于安世中國先進封測平臺及工藝升級項目。

安世發(fā)布第二代氮化鎵GaN FET，主打工業(yè)和汽車領域

2019年安世進入高壓寬帶隙半導體市場，采用高電子遷移率晶體管技術，采用級聯(lián)結構的氮化鎵技術助力工程師簡化應用設計，無需復雜的驅動和控制。

今年6月，新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247 封裝的新器件，導通電阻RDS（on）降低到僅 41mΩ（最大值，25℃的典型值為 35mΩ），同時具有高的柵級閥值電壓和低反向導通電壓。CCPAK封裝的新器件，將導通電阻值進一步降低到39mΩ（最大值，25℃的典型值為 33mΩ）。兩種封裝的新器件均符合 AEC-Q101 標準，可滿足汽車應用的要求。



Nexperia 的 CCPAK貼片封裝采用了創(chuàng)新的銅夾片封裝技術來代替內(nèi)部的封裝引線。這樣可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用，并有助于進一步改善散熱。

650V TO-247封裝的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封裝的 GAN039-650NBB目前均可提供樣品。

安世半導體MOS 業(yè)務集團大中華區(qū)總監(jiān)李東岳先生分析說，采用級聯(lián)結構的氮化鎵技術，相當于串連一個30伏的MOS管，可以做到常態(tài)關斷，使用級聯(lián)可以較容易將開啟電壓優(yōu)化到4伏，相較于1.5伏更容易抗干擾。第二代GaN FET首先將應用于工業(yè)領域，2021年可提供AEC-Q101認證的器件。

安世半導體MOS 業(yè)務集團大中華區(qū)總監(jiān)李東岳先生

工業(yè)應用方面覆蓋，服務器和電信電源的同步整流器，提供高端電源所需的高效率和高功率密度，比如80+鈦金牌電源單元；電池儲能和不間斷電源，增加功率密度，并減小輸出濾波器尺寸；還有，伺服驅動器，輸出電流波形改善，更低的電機損耗和噪音。



在安世的全年營收中，汽車市場占到45%-50%，是安世半導體最重要的市場。汽車排放的任何一點CO2都會帶來環(huán)境影響，因此車輛電氣化是大勢所趨。從混合動力到全電動汽車，動力系統(tǒng)電氣化有望在未來二十年主導半導體市場的持續(xù)增長。在這一領域，基于硅的氮化鎵場效應晶體管的功率密度和效率將發(fā)揮主導作用，尤其對于車載充電器（EV充電）、DC/DC轉換器和電機驅動牽引逆變器（xEV牽引逆變器）而言。GAN039 產(chǎn)品最適合應用在電動汽車的車載充電機和直流-直流轉換器上，未來產(chǎn)品的目標市場為牽引逆變器。



GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題。現(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車或純電動汽車中使用的牽引逆變器的首選技術。

GaN能超越基于硅的IGBT和SiC的另一個優(yōu)勢在于制造產(chǎn)業(yè)鏈的成熟度。李東岳分析，基于硅基的氮化鎵器件可以用硅產(chǎn)線的生產(chǎn)設備，而碳化硅需要專門的設備，且原材料生產(chǎn)比較復雜。在未來電動和混動汽車產(chǎn)能快速上升的時候，氮化鎵的器件更容易上量，擴產(chǎn)靈活，生產(chǎn)工藝更簡單，成本也更有優(yōu)勢。車規(guī)級GAN器件目前市面上還比較少，安世半導體憑借多年車規(guī)級器件的管理和制造工藝經(jīng)驗，能夠率先提供這一器件。

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