MOS管驅(qū)動電路_單片機如何驅(qū)動MOS管

MOS管相比三極管來講，具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻，在驅(qū)動大功率的負載時，發(fā)熱量就會小很多。MOS管的驅(qū)動與三極管有一個比較大的區(qū)別，MOS管是電壓驅(qū)動型的元件，如果驅(qū)動電壓達不到要求，MOS就會不完全導(dǎo)通，內(nèi)阻變大而造成過熱。

MOS管驅(qū)動電路

MOS管分為N溝道與P溝道兩種，N溝道用于電源負極的控制，P溝道用于電源正極的控制，兩者直接的控制信號電壓也存在區(qū)別。對于NMOS來講，當(dāng)柵極與源極的電壓超過一定電壓閾值的之后就會導(dǎo)通，PMOS與之相反。

NMOS與PMOS還有一點比較大的區(qū)別，NMOS的導(dǎo)通內(nèi)阻一般比PMOS要小一些，并且制造成本性對較低，所以在功率較大的控制場合，一般會選用NMOS，當(dāng)然也要根據(jù)控制電路的邏輯關(guān)系進行選擇。以NMOS為例，當(dāng)Vgs大于最小控制電壓閾值時，MOS管會導(dǎo)通，但是其導(dǎo)通內(nèi)阻無法達到最小設(shè)計值，所以想要保證其導(dǎo)通內(nèi)阻，就要有足夠的控制驅(qū)動電壓。

上圖是常用N溝道MOS管AO4468參數(shù)手冊中給出的導(dǎo)通內(nèi)阻參考值，當(dāng)控制電壓4.5V的時候，導(dǎo)通內(nèi)阻小于22mΩ；控制電壓10V時，導(dǎo)通內(nèi)阻小于14mΩ，從這個參數(shù)上能夠看出，不同的驅(qū)動電壓下，導(dǎo)通內(nèi)阻是存在一定差別的。

單片機如何驅(qū)動MOS管

常用的單片機一般分為5V單片機與3V單片機，單片機的IO口輸出的高電平電壓最高是可以接近電源電壓的，但會比電源電壓小一些。由于三極管是電流驅(qū)動型的元件，所以不需要太高的驅(qū)動電壓就可以飽和導(dǎo)通，而對于MOS管來講，根據(jù)不同型號參數(shù)的，導(dǎo)通電壓會有差別，單片機IO能夠輸出的電壓，對于大部分的MOS管來講是達不到其導(dǎo)通條件的。

所以在單片機驅(qū)動MOS的電路中，通常會采用三極管作為前級驅(qū)動，由電源電壓驅(qū)動MOS管開啟，有些開啟電壓較高的MOS管，還會提高驅(qū)動電壓，而不使用單片機的5V供電，比如12V、15V等等。

所以單片機不能直接驅(qū)動MOS管的主要原因是驅(qū)動能力的問題，單片機的IO輸出的電壓達不到MOS管的導(dǎo)通條件，或者達不到飽和導(dǎo)通的條件。