7月2日消息,據(jù)外媒報(bào)道,SK 海力士宣布,其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開(kāi)發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。
去年8月SK海力士宣布成功研發(fā)出新一代 DRAM 內(nèi)存 / 顯存芯片 “HBM2E”。今日,海力士正式已成功量產(chǎn)這一代 HBM2E 存儲(chǔ)。
SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度,通過(guò)1,024個(gè)I/Os(Inputs/Outputs, 輸入/輸出)能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清(FHD)電影(每部3.7GB),是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接,其容量達(dá)到了16GB,是前一代HBM2容量的兩倍以上。
HBM2E擁有超高速、高容量、低能耗等特性,是適合深度學(xué)習(xí)加速器(deep learning accelerator)、高性能計(jì)算機(jī)等需要高度計(jì)算能力的新一代人工智能(AI)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器解決方案。與此同時(shí),HBM2E將適用于在未來(lái)主導(dǎo)氣候變化、生物醫(yī)學(xué)、宇宙探索等下一代基礎(chǔ)、應(yīng)用科學(xué)領(lǐng)域研究的Exascale 超級(jí)計(jì)算機(jī)(能夠在一秒內(nèi)執(zhí)行一百億億次計(jì)算的計(jì)算機(jī))。
官方稱(chēng)其 HBM2E 擁有每 pin 3.6Gbps 的性能、每秒 460GB 以上的帶寬、 共 1024 個(gè) I / O(輸入 / 輸出)。HBM2E 通過(guò) TSV(Through Silicon Via)硅穿孔技術(shù)垂直堆疊八顆 16Gb DRAM 芯片,容量達(dá)16GB,是上一代產(chǎn)品(HBM2)兩倍以上的容量。
值得一提的是,SK 海力士也是第一個(gè)研發(fā)出 HBM 存儲(chǔ)的廠商。首發(fā)于 2015 年的 AMD Radeon Fury 顯卡中。
海力士還表示,HBM2E 是適合深度學(xué)習(xí)加速器(deep learning accelerator)、高性能計(jì)算機(jī)等新一代人工智能(AI)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器解決方案,將用于更多合作伙伴的產(chǎn)品。
吳鐘勛SK海力士副社長(zhǎng)兼首席營(yíng)銷(xiāo)官(Chief Marketing Officer, CMO)表示:“SK海力士通過(guò)開(kāi)發(fā)世界第一款HBM(High Bandwidth Memory)等成果一直引領(lǐng)著有助于人類(lèi)文明發(fā)展的新一代技術(shù)革新。公司將通過(guò)本次HBM2E量產(chǎn)強(qiáng)化高端存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的地位,并倡導(dǎo)第四次工業(yè)革命?!?/p>
注:
HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬內(nèi)存)
-相較傳統(tǒng)DRAM,借助TSV技術(shù)飛躍性地提升數(shù)據(jù)處理速度的高性能、高帶寬存儲(chǔ)器產(chǎn)品
TSV(Through Silicon Via,硅通孔技術(shù))
- 在DRAM芯片打上數(shù)千個(gè)細(xì)微孔并通過(guò)垂直貫通的電極連接上下芯片的技術(shù)
- 該技術(shù)在緩沖芯片(buffer chip)上將數(shù)個(gè)DRAM芯片堆疊起來(lái),并通過(guò)貫通所有芯片層的柱狀通道傳輸信號(hào)、指令、電流。
- 相較傳統(tǒng)封裝方式,該技術(shù)能夠縮減30%體積,并降低50%能耗。
數(shù)據(jù)處理速度換算規(guī)則
- 1GB = 8Gb
- 以每個(gè)pin 3.6Gbps的速度通過(guò)1,024個(gè)數(shù)據(jù)I/Os進(jìn)行運(yùn)算 = 3686.4Gbps
- 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb -》 GB換算)
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