JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會于今日正式發(fā)布了DDR5SDRAM標(biāo)準(zhǔn)(JESD79-5),為全球計算機拉開新時代序幕。
簡言之,DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32,每Bank的自刷新速度翻番到16Gbps。VDD電壓從DDR4的1.2V降至1.1V,也就是減少功耗。此外,芯級ECC、更好的設(shè)計伸縮性、更高的電壓耐受度等都保證了性能、產(chǎn)能、工藝水準(zhǔn)等。
按照J(rèn)EDEC的說法,DDR5內(nèi)存的引腳帶寬(頻率)是DDR4的兩倍,首發(fā)將以4.8Gbps(4800MHz)起跳,比末代DDR4的標(biāo)準(zhǔn)頻率3200MHz增加了50%之多,總傳輸帶寬提升了38%,未來將最高摸到8400MHz左右。
基于新標(biāo)準(zhǔn)的硬件預(yù)計將于2021年推出,先從服務(wù)器層面開始采用,之后再逐步推廣到消費者PC和其他設(shè)備。
更快:一個DIMM,兩個通道
DDR5再次提高了內(nèi)存帶寬。每個人都希望獲得更高的性能(尤其是在DIMM容量不斷增長的情況下),這也是這次DDR5提升的重點。
對于DDR5來說,JEDEC希望比通常的DDR內(nèi)存規(guī)范更積極地開始工作。通常情況下,新的標(biāo)準(zhǔn)是從上一個標(biāo)準(zhǔn)的起點開始的,例如DDR3到DDR4的過渡,DDR3正式停止在1.6Gbps,DDR4從那里開始。然而對于DDR5來說,JEDEC的目標(biāo)要高得多,預(yù)計將以4.8Gbps的速度推出,比DDR4官方3.2Gbps最高速度快了50%左右。而在之后的幾年里,當(dāng)前版本的規(guī)范允許數(shù)據(jù)速率達到6.4Gbps,比DDR4的官方峰值快了一倍。
這些速度目標(biāo)的基礎(chǔ)是DIMM和內(nèi)存總線的變化,以便在每個時鐘周期內(nèi)提供和傳輸更多數(shù)據(jù)。對于DRAM速度來說,最大的挑戰(zhàn)來自于DRAM核心時鐘速率缺乏進步。專用邏輯仍然在變快,內(nèi)存總線仍然在變快,但支撐現(xiàn)代內(nèi)存的基于電容和晶體管的DRAM時鐘速度還不能超過幾百兆赫。因此,為了從DRAMDie中獲得更多的收益--維持內(nèi)存本身越來越快的假象,并滿足實際速度更快的內(nèi)存總線--已經(jīng)需要越來越多的并行性。而DDR5則再次提升了這一要求。
這里最大的變化是,與LPDDR4和GDDR6等其他標(biāo)準(zhǔn)情況類似,單個DIMM被分解為2個通道。DDR5將不是每個DIMM提供一個64位數(shù)據(jù)通道,而是每個DIMM提供兩個獨立的32位數(shù)據(jù)通道(如果考慮ECC因素,則為40位)。同時,每個通道的突發(fā)長度從8個字節(jié)(BL8)翻倍到16個字節(jié)(BL16),這意味著每個通道每次操作將提供64個字節(jié)。那么,與DDR4DIMM相比,DDR5DIMM以兩倍的額定內(nèi)存速度(核心速度相同)運行,將在DDR4DIMM提供的操作時間內(nèi)提供兩個64字節(jié)的操作,使有效帶寬增加一倍。
總的來說,64字節(jié)仍然是內(nèi)存操作的神奇數(shù)字,因為這是一個標(biāo)準(zhǔn)緩存線的大小。如果在DDR4內(nèi)存上采用更大的突發(fā)長度,則會導(dǎo)致128字節(jié)的操作,這對于單條高速緩存線來說太大,如果內(nèi)存控制器不想要兩條線的連續(xù)數(shù)據(jù),充其量也會導(dǎo)致效率/利用率的損失。相比之下,由于DDR5的兩個通道是獨立的,一個內(nèi)存控制器可以從不同的位置請求64個字節(jié),這使得它更符合處理器的實際工作方式,并避免利用率的損失。
對標(biāo)準(zhǔn)PC臺式機的凈影響是,取代了DDR4系統(tǒng)模式,即2個DIMM填滿2個通道進行2x64bit設(shè)置,而DDR5系統(tǒng)的功能將是4x32bit設(shè)置。
這種結(jié)構(gòu)上的變化在其他地方有一些連鎖效應(yīng),特別是要最大限度地提高這些小通道的使用率。DDR5引入了更細(xì)粒度的Bank存儲體刷新功能,這將允許一些k存儲體在其他使用時進行刷新。這就能更快地完成必要的刷新(電容補給)、控制延遲、并使未使用的存儲庫更快可用。存儲體組的最大數(shù)量也從4個增加到8個,這將有助于減輕順序內(nèi)存訪問的性能折扣。
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