根據(jù)Omdia的一項新研究,在電動汽車和光伏應(yīng)用需求的推動下,預(yù)計到2020年底,SiC MOSFET的全球市場規(guī)模將達到3.2億美元。憑借更高的擊穿電壓、更好的熱性能和更低的開關(guān)損耗,SiC MOSFET正在取代硅MOSFET和IGBT,并已成為制造更小更輕的逆變器的熱門選擇。
PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQSCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動器,可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。
SCALE-2門極驅(qū)動核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓,允許使用SiC MOSFET進行安全有效的設(shè)計。
為何使用SCALE門極驅(qū)動器來驅(qū)動SiC MOSFET?
可以通過外部VEE電路來調(diào)整門極電壓
≤2μs的超快速短路關(guān)斷
大輸出電流及絕緣能力
帶dv/dt反饋的動態(tài)高級有源鉗位
開關(guān)頻率可高達500 kHz
深入了解:
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下載應(yīng)用指南AN-1601 - 使用SCALE門極驅(qū)動器控制SiC MOSFET功率開關(guān)
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原文標題:使用SCALE門極驅(qū)動器驅(qū)動SiC MOSFET
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