U6203D內(nèi)置MOS電源芯片是一款高性能的副邊反饋控制器。U6203D工作在副邊檢測(cè)和調(diào)整模式,可省略系統(tǒng)的光耦和TL431。U6203D內(nèi)置MOS電源芯片擁有恒壓恒流控制環(huán)路,可以實(shí)現(xiàn)高精度的恒壓、恒流輸出,以滿足大部分充電器和適配器需求。銀聯(lián)寶電子12V開(kāi)關(guān)控制芯片U6203D內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路和極低的芯片功耗使得系統(tǒng)能夠滿足較高的待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)。
12V1A副邊反饋內(nèi)置MOS電源芯片U6203D方案特點(diǎn):
一、CC 工作模式:在CC工作狀態(tài),高效率電源芯片U6203D采樣FB引腳的信號(hào)(由輔助繞組信號(hào)通過(guò)電阻分壓),輔助繞組信號(hào)脈寬決定振蕩頻率。輸出電壓越高,脈寬越小,同時(shí)振蕩頻率越高,這樣可獲得恒定的輸出電流。
二、保護(hù)控制:U6203D內(nèi)置MOS電源芯片含有豐富的保護(hù)功能,包括:逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、輸出短路保護(hù)、CS電阻開(kāi)/短路保護(hù)、VDD欠壓鎖定保護(hù)功能,并且這些保護(hù)具有自恢復(fù)模式。
三、CV 工作模式:在CV工作狀態(tài),高效率電源芯片U6203D使用脈沖采樣VFB電壓,并保持到下個(gè)采樣點(diǎn)。將采樣的電壓和VREF_CV基準(zhǔn)比較,并放大誤差。這個(gè)誤差值代表負(fù)載情況,通過(guò)控制開(kāi)關(guān)信號(hào),調(diào)節(jié)輸出電壓,使得輸出恒定。
四、高壓?jiǎn)?dòng)控制:U6203D內(nèi)置MOS電源芯片在啟動(dòng)階段,采用高壓?jiǎn)?dòng)技術(shù),芯片啟動(dòng)前2.0mA電流源為內(nèi)部偏置電路供電并給外部VDD電容充電,快速啟動(dòng)。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDDon,芯片開(kāi)始工作的同時(shí)高壓?jiǎn)?dòng)電路關(guān)斷;只要VDD電壓不低于VDDoff,芯片維持正常工作。啟動(dòng)后,偏置電路通過(guò)輔助源供電,同時(shí)啟動(dòng)電路只有一路極小的電流,實(shí)現(xiàn)低損耗。
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原文標(biāo)題:U6203D-12V1A-電源方案
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