電機(jī)驅(qū)動(dòng)的一大關(guān)鍵是準(zhǔn)確知道轉(zhuǎn)子的位置,有感電機(jī)通過(guò)傳感器獲取轉(zhuǎn)子位置,無(wú)感電機(jī)只能通過(guò)間接方式獲取電機(jī)轉(zhuǎn)子位置,常見(jiàn)的方法有反電動(dòng)勢(shì)法、電感法、磁鏈法、高頻脈沖法及其它智能方法,應(yīng)用最多的是反電動(dòng)勢(shì)法
反電動(dòng)勢(shì)法無(wú)刷無(wú)感電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路可主要分為三部分:功率驅(qū)動(dòng)部分,控制部分,轉(zhuǎn)子位置檢測(cè)部分
一. 功率驅(qū)動(dòng)部分
功率驅(qū)動(dòng)部分有二種實(shí)現(xiàn)方式,一是使用集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC,二是使用分立元件搭建。使用集成IC更加簡(jiǎn)單,而且大多驅(qū)動(dòng)IC都集成了多種保護(hù)功能,更加可靠,但成本較高。
使用分立元件搭建有二種:
① 使用N + P管,如下圖,這種方式實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單,而且PWM控制信號(hào)占空比能達(dá)到100%,但P管價(jià)格相對(duì)較高,一般電流在100A,耐壓在100V內(nèi),多應(yīng)用于低壓小功率應(yīng)用
R1,R4一般在100Ω以內(nèi),但也不能太小,一般為幾十Ω,R2,R3,R5一般為幾K到幾十K
②使用全N管,如下圖,N管耐壓及功率可選范圍很寬,所以適用于各種應(yīng)用電路,但上臂橋驅(qū)動(dòng)較復(fù)雜,如果采用自舉升壓電路,PWM占空比不能達(dá)到100%
上圖用比較簡(jiǎn)單的方式實(shí)現(xiàn)上臂的自舉升壓,D1為自舉二極管,一般采用快恢復(fù)二極管,C1為自舉電容,具體大小可參考公式
二. 控制部分
此部分大致為MCU最小系統(tǒng),根據(jù)所采用的MCU的不同而不同,一般使用內(nèi)部晶振。帶有比較器、PWM定時(shí)器的MCU為比較好的選擇。
三. 轉(zhuǎn)子位置檢測(cè)部分
此部分是一個(gè)關(guān)鍵部分,根據(jù)使用驅(qū)動(dòng)方法的不同而不同,主要的二種為反電動(dòng)勢(shì)檢測(cè)與電流檢測(cè)
①反電動(dòng)勢(shì)檢測(cè)
此法的理論基礎(chǔ)是電機(jī)在運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì),在PWM導(dǎo)通器件的過(guò)零時(shí)刻,懸浮相的端電壓與中點(diǎn)電壓相等,硬件方法可建立一個(gè)虛擬中性點(diǎn)與端電壓比較,實(shí)際中大多使用軟件采樣比較方式
使用軟件進(jìn)行采樣有三種方式:
1. 在功率管導(dǎo)通時(shí)刻采樣
二相導(dǎo)通時(shí),中點(diǎn)電壓等于母線電壓的一半,因此可用母線電壓的一半作為參考電壓與第三相進(jìn)行比較。
母線電壓一般較高,即使分半之后的電壓也可能高于MCU端口承受電壓,因此一般要用電阻進(jìn)行分壓,這使得過(guò)零點(diǎn)的檢測(cè)靈敏度受到影響,而且由于在導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)進(jìn)行采樣,因此必須有一個(gè)最小導(dǎo)通時(shí)間,電機(jī)低速運(yùn)行受限制
2. 在功率管關(guān)閉時(shí)刻進(jìn)行采樣
在上管關(guān)斷,下管恒通的狀態(tài)下,續(xù)流電流會(huì)流過(guò)下管體二極管,中點(diǎn)電壓理論值為0,為提高準(zhǔn)確性,可將MCU內(nèi)部參考電壓設(shè)為一個(gè)略高于0的值,如0.2,然后采集第三相與此值比較。
這種方式無(wú)需電阻分壓,提高了檢測(cè)靈敏度,同時(shí)抑制了高頻開關(guān)干擾,但需考慮MCU端口承壓能力,而且需保持一個(gè)最小關(guān)斷時(shí)間,因此PWM占空比無(wú)法達(dá)到100%
3. 在功率管全狀態(tài)采樣
如下圖,此種方法結(jié)合了以上二種方法的優(yōu)點(diǎn),克服了雙方的缺點(diǎn)
在大多數(shù)實(shí)際應(yīng)用電路中,多采用方式一,如下圖,兩端分別接到電機(jī)三線與MCU
②電流檢測(cè)法
此法多應(yīng)用于FOC控制中,如下,在三端回路中接上電流采樣電阻,采集相電流,經(jīng)放大器放大后送入MCU,
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