【每日精選】電源工程師都明白，交流電容與電容電抗這幾點很重要！
【Electronics Tutorials連載】最全放大器的分類及介紹--共源JFET放大器（三）
晶體管放大器電路（例如，公共發(fā)射極放大器）使用雙極晶體管制造，但是小信號放大器也可以使用場效應(yīng)晶體管制造。與雙極型晶體管相比，這些器件的優(yōu)勢在于具有極高的輸入阻抗以及低噪聲輸出，使其非常適合用于輸入信號非常小的放大器電路。
【Electronics Tutorials連載】最全放大器的分類及介紹--放大器失真（四）
為了使信號放大器正常工作而不會對輸出信號造成任何失真，它需要在其基礎(chǔ)或柵極端子上采用某種形式的直流偏置。需要直流偏置，以便放大器可以在其整個周期內(nèi)放大輸入信號，同時將偏置“ Q點”設(shè)置為盡可能靠近負(fù)載線的中間。
電源技術(shù)之交流電容和電容電抗（一）
電容器以電荷的形式將能量存儲在其導(dǎo)電板上。當(dāng)電容器跨接在直流電源電壓兩端時，它將以由其時間常數(shù)確定的速率充電至所施加電壓的值。只要存在電源電壓，電容器將無限期保持或保持該電荷。在該充電過程中，充電電流i以等于板上電荷變化率的速率流入電容器，與電壓的任何變化相反。因此，電容器對流到其極板上的電流有反作用。
電源技術(shù)之交流電容和電容電抗（二）
流入純交流電容的電流使電壓領(lǐng)先90o。但是在現(xiàn)實世界中，不可能擁有純凈的交流電容，因為所有電容器的極板之間都將具有一定量的內(nèi)部電阻，從而會引起泄漏電流。然后，我們可以認(rèn)為電容器是電阻R與電容C串聯(lián)的電容器，可以粗略地稱為“不純電容器”。
運(yùn)算放大器的體系結(jié)構(gòu)和設(shè)計技術(shù)
三階段建筑分析諸如741電路之類的電路時，我們要做的第一件事是將原理圖劃分為多個階段，即將電路劃分為具有相干功能的子電路，并與其他子電路一起工作以創(chuàng)建設(shè)備的整體功能。
741體現(xiàn)了一種直觀而有效的架構(gòu)，這將是許多放大器系統(tǒng)設(shè)計的良好起點。它由輸入級，中間級和輸出級組成。
確定哪種PoE變壓器最佳：反激還是正激？
選擇合適的PoE變壓器在DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用時，有兩種類型的PoE變壓器引起了激烈的爭論：反激和正向拓?fù)?。正向和反激變壓器可以將受電設(shè)備接口與其其余電路隔離，同時降低PoE輸入電壓來為PD電路供電。
避免存儲器件掉電丟數(shù)據(jù),我們要怎么做？
記錄數(shù)據(jù)的可靠性，通常只考慮到突然掉電、寫入不完全等，往往忽略了存儲器件的使用壽命。存儲器件的擦除次數(shù)壽命是行業(yè)公認(rèn)的客觀事實，工程師只能盡量的符合器件使用規(guī)范，以免過快損耗擦寫壽命。
最高性能的Arm Cortex-R處理器,會領(lǐng)導(dǎo)計算型存儲的未來嗎？
在存儲數(shù)據(jù)的位置直接進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，可為物聯(lián)網(wǎng)、機(jī)器學(xué)習(xí)與邊緣計算等應(yīng)用開啟龐大的機(jī)會。這在可預(yù)見的存儲使用場景中相當(dāng)關(guān)鍵，例如“數(shù)據(jù)庫加速”意味著不會有大型檔案的傳輸，安全性與隱私得以提升；在“視頻轉(zhuǎn)碼”的應(yīng)用中，數(shù)據(jù)可以有效率地轉(zhuǎn)碼或編碼以利串流，并在必要情況下采用不同的比特率與分辨率。
晶體管放大器電路（例如，公共發(fā)射極放大器）使用雙極晶體管制造，但是小信號放大器也可以使用場效應(yīng)晶體管制造。與雙極型晶體管相比，這些器件的優(yōu)勢在于具有極高的輸入阻抗以及低噪聲輸出，使其非常適合用于輸入信號非常小的放大器電路。
【Electronics Tutorials連載】最全放大器的分類及介紹--放大器失真（四）
為了使信號放大器正常工作而不會對輸出信號造成任何失真，它需要在其基礎(chǔ)或柵極端子上采用某種形式的直流偏置。需要直流偏置，以便放大器可以在其整個周期內(nèi)放大輸入信號，同時將偏置“ Q點”設(shè)置為盡可能靠近負(fù)載線的中間。
電源技術(shù)之交流電容和電容電抗（一）
電容器以電荷的形式將能量存儲在其導(dǎo)電板上。當(dāng)電容器跨接在直流電源電壓兩端時，它將以由其時間常數(shù)確定的速率充電至所施加電壓的值。只要存在電源電壓，電容器將無限期保持或保持該電荷。在該充電過程中，充電電流i以等于板上電荷變化率的速率流入電容器，與電壓的任何變化相反。因此，電容器對流到其極板上的電流有反作用。
電源技術(shù)之交流電容和電容電抗（二）
流入純交流電容的電流使電壓領(lǐng)先90o。但是在現(xiàn)實世界中，不可能擁有純凈的交流電容，因為所有電容器的極板之間都將具有一定量的內(nèi)部電阻，從而會引起泄漏電流。然后，我們可以認(rèn)為電容器是電阻R與電容C串聯(lián)的電容器，可以粗略地稱為“不純電容器”。
運(yùn)算放大器的體系結(jié)構(gòu)和設(shè)計技術(shù)
三階段建筑分析諸如741電路之類的電路時，我們要做的第一件事是將原理圖劃分為多個階段，即將電路劃分為具有相干功能的子電路，并與其他子電路一起工作以創(chuàng)建設(shè)備的整體功能。
741體現(xiàn)了一種直觀而有效的架構(gòu)，這將是許多放大器系統(tǒng)設(shè)計的良好起點。它由輸入級，中間級和輸出級組成。
確定哪種PoE變壓器最佳：反激還是正激？
選擇合適的PoE變壓器在DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用時，有兩種類型的PoE變壓器引起了激烈的爭論：反激和正向拓?fù)?。正向和反激變壓器可以將受電設(shè)備接口與其其余電路隔離，同時降低PoE輸入電壓來為PD電路供電。
避免存儲器件掉電丟數(shù)據(jù),我們要怎么做？
記錄數(shù)據(jù)的可靠性，通常只考慮到突然掉電、寫入不完全等，往往忽略了存儲器件的使用壽命。存儲器件的擦除次數(shù)壽命是行業(yè)公認(rèn)的客觀事實，工程師只能盡量的符合器件使用規(guī)范，以免過快損耗擦寫壽命。
最高性能的Arm Cortex-R處理器,會領(lǐng)導(dǎo)計算型存儲的未來嗎？
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