長(zhǎng)鑫預(yù)計(jì)在2021年完成低功耗高速率17nm工藝內(nèi)存芯片

在2019年，國(guó)內(nèi)的內(nèi)存以及閃存領(lǐng)域分別有一個(gè)重大的突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)64層3D閃存，合肥長(zhǎng)鑫則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存，而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。

在DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)上，三星、SK海力士和美光三大公司占據(jù)了95%以上的市場(chǎng)份額，其中三星占據(jù)44%左右、SK海力士占比約30%、美光則占比21%左右。

目前，排在全球第四的內(nèi)存芯片廠商是南亞科技，但是，只有3%的份額，其產(chǎn)能不過(guò)7萬(wàn)片晶圓/月。

據(jù)悉，合肥長(zhǎng)鑫將會(huì)在今年年底產(chǎn)能達(dá)到7萬(wàn)片晶圓/月，這樣意味著他們將有希望超越南亞成為全球第四大DRAM芯片廠。

但是，即便可以達(dá)到7萬(wàn)片/月，合肥長(zhǎng)鑫還是與前三名有不小的差距。

據(jù)了解，長(zhǎng)鑫預(yù)計(jì)在2021年完成17nm工藝內(nèi)存芯片，可以繼續(xù)提升內(nèi)存的存儲(chǔ)密度。

根據(jù)官方信息顯示，以長(zhǎng)鑫為代表的安徽半導(dǎo)體行業(yè)，在未來(lái)的2-3年內(nèi)將會(huì)推進(jìn)低功耗高速率LPDDR5?DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，主要會(huì)面向中高端移動(dòng)、平板機(jī)消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品DRAM存儲(chǔ)芯片自主可控需求，并且繼續(xù)研發(fā)先進(jìn)低功耗高速率LPDDR5產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
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