國(guó)家存儲(chǔ)器基地成功研制出了全球首款128層QLC三維閃存芯片

近日，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期在武漢東湖高新區(qū)開工，據(jù)悉，國(guó)家存儲(chǔ)器基地的項(xiàng)目是由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，這項(xiàng)目計(jì)劃分兩期建設(shè)3D?NAND閃存芯片工廠。

據(jù)了解，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期于2016年底開工建設(shè)，目前，32層、64層存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的量產(chǎn)，并且成功研制出了全球首款128層QLC三維閃存芯片。

該項(xiàng)目中計(jì)分兩期建設(shè)3D?NAND閃存芯片工廠，總投資額達(dá)到240億美元。

這在之中，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期主要將會(huì)實(shí)現(xiàn)技術(shù)頭破，并且建成10萬片/月產(chǎn)能，二期則規(guī)劃了20萬片/月的產(chǎn)能，在兩期同時(shí)穩(wěn)定量產(chǎn)之后，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目月產(chǎn)能將會(huì)超過30萬片/月。

存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，它能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和現(xiàn)金的制造工藝，在近年來，內(nèi)存、SSD、顯卡價(jià)格數(shù)次上漲，此次，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期，將會(huì)有效的降低國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)品的成本同時(shí)，并促進(jìn)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體進(jìn)一步的發(fā)展。
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