MR25H256是一個串行MRAM,具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇(CS),串行輸入(SI),串行輸出(SO)和串行時鐘(SCK)的四針接口在邏輯上組織為32Kx8的存儲器陣列。 SPI)總線。串行MRAM實現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集,從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。與可用的串行存儲器替代方案相比,串行MRAM具有卓越的寫入速度,無限的耐用性,低待機和運行能力以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。
對于MRAM,基于Everspin Technologies的256kb串行SPI MRAM MR25H256進行評估。表3顯示,當(dāng)使用去耦電容器的所有能量時,每個數(shù)據(jù)字節(jié)的能量最低。應(yīng)選擇去耦電容的大小,以匹配系統(tǒng)通常獲取的數(shù)據(jù)量。
-μF電容器允許以40 MHz在SPI總線上寫入50字節(jié)(46個數(shù)據(jù)字節(jié)),而MRAM消耗27 mA。此計算是使用46個字節(jié)進行比較的來源。
對于MCU,可能需要100μs的時間才能喚醒,進行測量,并將結(jié)果傳達給非易失性存儲器并進行必要的內(nèi)部管理。在此期間,我們假設(shè)有功電流消耗為500μA(運行于約5 MHz的小型MCU的典型值)。因此,每次數(shù)據(jù)采集消耗的能量為3.3 V×500μA×100μs= 0.165μJ。
除了進行采集的能量外,我們還應(yīng)考慮在非易失性存儲器寫入期間保持MCU處于活動狀態(tài)所需的能量。當(dāng)不獲取或存儲數(shù)據(jù)時,MCU處于休眠狀態(tài),消耗5μA電流。假定電源為一個LDO,在所有操作階段(活動和睡眠)均消耗1μA電流。
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