1、 輸入特性曲線
在三極管共發(fā)射極聯(lián)接的狀況下,當集電極與發(fā)射極之間的電壓UCE 堅持紛歧樣的定值時,uBE和iB之間的一簇聯(lián)絡曲線,稱為共射極輸入特性曲線。一般狀況下,當UCE≥1V時,集電結(jié)就處于反向偏置,此刻再增大UCE對iB的影響很小,也即UCE>1V往后的輸入特性與UCE=1V的一條特性曲線重合,所以,半導體器材手冊中一般只給出一條UCE≥1V時的輸入特性曲線,如圖所示。輸入特性曲線的數(shù)學表達式為:iB=f(uBE)| UCE = 常數(shù)
三極管的輸入特性曲線與二極管的伏安特性曲線很類似,也存在一段死區(qū),硅管的死區(qū)電壓約為0.5V,鍺管的死區(qū)電壓約為0.2V。導通后,硅管的UBE約為0.7V,鍺管的UBE約為0.3V。
2、輸出特性曲線
輸出特性是指以基極電流IB為常數(shù),輸出電壓uCE和輸出電流iC之間的聯(lián)絡,即:iC=f(uCE)|IB =常數(shù)。關(guān)于紛歧樣的IB,所得到的輸出特性曲線也紛歧樣,所以,三極管的輸出特性曲線是一簇曲線。依據(jù)三極管的作業(yè)狀況紛歧樣,能夠?qū)⑤敵鎏匦苑譃槿齻€區(qū)域,如圖所示。
硅管的管壓降為0.7V;鍺管的管壓降為0.3V。
(1)截止區(qū):指IB=0的那條特性曲線以下的區(qū)域。在此區(qū)域里,三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置狀況,三極管失掉了拓寬效果,集電極只需纖細的穿透電流ICEO。
(2)飽滿區(qū):指紫色區(qū)域。在此區(qū)域內(nèi),對應紛歧樣IB值的輸出特性曲線族簡直重合在一同。也便是說,UCE較小時,IC盡管添加,但IC添加不大,即IB失掉了對IC的操控才調(diào)。這種狀況,稱為三極管的飽滿。飽滿時,三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于正向偏置狀況。三極管集電極與發(fā)射極間的電壓稱為集-射飽滿壓降,用UCES標明。UCES很小,一般中小功率硅管UCES<0.5V。
紫色區(qū)域右邊沿線稱為臨界飽滿線,在此曲線上的每一點應有|UCE| = |UBE|。它是各特性曲線急劇拐彎點的連線。在臨界飽滿狀況下的三極管,其集電極電流稱為臨界集電極電流,用Ics標明;其基極電流稱為臨界基極電流,用IBS標明。這時ICS=βIBS 的聯(lián)絡依然樹立。
(3)拓寬區(qū):在截止區(qū)以上,介于飽滿區(qū)與擊穿區(qū)之間的區(qū)域為拓寬區(qū)。在此區(qū)域內(nèi),特性曲線近似于一簇平行等距的水平線,iC的改動量與iB的變量根柢堅持線性聯(lián)絡,即ΔiC=βΔiB,且ΔiC》》ΔiB ,便是說在此區(qū)域內(nèi),三極管具有電流拓寬效果。此外集電極電壓對集電極電流的操控效果也很弱,當uCE>1 V后,即便再添加uCE,iC簡直不再添加,此刻,若IB不變,則三極管能夠當作是一個恒流源。在拓寬區(qū),三極管的發(fā)射結(jié)處于正向偏置,集電結(jié)處于反向偏置狀況。
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