Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。
首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢:
1. 非易失性存儲器芯片,比傳統(tǒng)的SRAM或者DRAM在數(shù)據(jù)保持方面更強(qiáng);
2. 芯片容量較大,單顆芯片容量高達(dá)1Gb;
3. 采用DDR4接口,帶寬可以到2.7GB/s,超強(qiáng)性能;
4. 擦寫次數(shù)幾十億次!生命周期;
5. 超低延遲;
6. 數(shù)據(jù)保存期很久:85度高溫下數(shù)據(jù)可以保存10年以上;
7. 數(shù)據(jù)錯誤率低;
8. 可靠性強(qiáng)。
MRAM可應(yīng)用在NVMe SSD的下列場景,PCIe SSD、NVMe-oF、全閃存陣列:
NVMe SSD場景
MRAM為NVMe SSD,尤其是QLC做緩存有以下優(yōu)勢:
采用MRAM之后,NVMe SSD內(nèi)部的架構(gòu)發(fā)生了以下圖片的變化,將MRAM作為數(shù)據(jù)緩存使用,而FTL映射表存儲依然是DRAM:
NVMe-oF場景
數(shù)據(jù)中心采用NVMe-oF有以下四大優(yōu)勢:
1. 實(shí)現(xiàn)低于1微秒的數(shù)據(jù)傳輸,跳過內(nèi)核、跳過主機(jī)CPU和內(nèi)存、可以P2P傳輸;
2. 把CPU計算任務(wù)分?jǐn)偟綄S糜嬎阈酒蛘叽鎯?a target="_blank">控制器;
3. 讀寫帶寬更高;
4. 服務(wù)器可以更簡單、省電,不用昂貴的X86 CPU,用ARM CPU就夠了。
以下圖片是傳統(tǒng)的NVMe-oF的數(shù)據(jù)流,要通過系統(tǒng)內(nèi)存和CPU再進(jìn)入NVMe SSD,這樣會導(dǎo)致讀寫延遲比較長。
如果采用了MRAM作為智能網(wǎng)卡上的緩存,數(shù)據(jù)就直接通過P2P傳輸給NVMe SSD,并跳過了系統(tǒng)內(nèi)存和CPU,大大縮短讀寫延遲,也大幅提升性能。
MRAM用在全閃存陣列
在全閃存陣列的存儲控制器中,MRAM可以作為緩存加速,并提升產(chǎn)品性能及可靠性,同時可以不需要額外的電池或者電容。
未來的數(shù)據(jù)中心存儲長這樣?
未來以NVMe SSD和NVMe-oF為基礎(chǔ)的云存儲硬件架構(gòu)如下圖,其中MRAM可以用在網(wǎng)卡緩存、NVDIMM、全閃存陣列加速和NVMe SSD內(nèi)部。
-
MRAM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
234瀏覽量
31649 -
everspin
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
26瀏覽量
11653 -
stt_mram
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
3瀏覽量
3457
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論