臺積電在2納米新制程節(jié)點有重大突破

臺積電2納米制程研發(fā)獲重大突破。供應(yīng)鏈透露，有別于3納米與5納米采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)，臺積電2納米改采全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構(gòu)，研發(fā)進度超前，業(yè)界看好2023年下半年風險性試產(chǎn)良率即可達九成，助攻未來持續(xù)拿下蘋果、輝達等大廠先進制程大單，狠甩三星。

半導體制程一路微縮，面臨物理極限，業(yè)界原憂心不利摩爾定律延續(xù)，也就是過往每18個月推進一個制程時代的腳步受阻，使得臺積電等半導體大廠先進制程發(fā)展受影響。

三星預計年底才投入5納米制程，落后臺積。隨著臺積電在2納米新制程節(jié)點有重大突破，宣示臺積電將可延續(xù)摩爾定律發(fā)展，更確定未來朝1納米推進可能性大增，進一步擴大與三星的差距。臺積電向來不對訂單等動態(tài)置評，且迄今仍低調(diào)未對外透露2納米制程細節(jié)，僅表示2納米將是全新架構(gòu)。

業(yè)界人士指出，2020年臺灣國際半導體展（SEMICON TAIWAN）將在本周三（23日）登場，臺積電董事長劉德音受邀進行主題演講，市場聚焦臺積電先進制程研發(fā)對人工智慧（AI）、第五代行動通訊（5G）推動影響，并關(guān)注劉德音釋出的臺積電先進制程研發(fā)近況。

據(jù)悉，臺積電去年成立2納米專案研發(fā)團隊，尋找可行路徑進行開發(fā)，考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件，2納米采以環(huán)繞柵極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題，在極紫外光（EUV）微顯影技術(shù)提升，使臺積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關(guān)鍵技術(shù)更為成熟，良率提升進度較預期順利。

臺積電總裁魏哲家日前于玉山科技協(xié)會晚宴專講時透露，臺積電制程每前進一個世代，客戶產(chǎn)品速度效能增加30%至40%，功耗可以降低20%至30%。

供應(yīng)鏈認為，以臺積電2納米目前研發(fā)進度研判，2023年下半年可望進入風險性試產(chǎn)，2024年正式量產(chǎn)。臺積電先前揭示2納米研發(fā)生產(chǎn)將落腳新竹寶山，規(guī)劃P1到P4四個超大型晶圓廠，占地90多公頃。

業(yè)界認為，臺積電2納米良率及效能值得期待，推出即可望獲蘋果、輝達、高通、超微等大客戶采用，陸續(xù)轉(zhuǎn)到2納米投片。尤其輝達收購安謀（ARM）后，朝超級電腦、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心等高速運算前進，未來將更仰賴與臺積電合作。
責任編輯：tzh