劉德音表示未來(lái)幾年半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入3 nm工藝

臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音日前表示，2020年已進(jìn)入5G及無(wú)所不在運(yùn)算的時(shí)代，市場(chǎng)對(duì)于人工智慧（AI）及5G的數(shù)位運(yùn)算效能提升永不滿足，世界因?yàn)?a href="http://ttokpm.com/v/" target="_blank">科技創(chuàng)新持續(xù)轉(zhuǎn)變并向前邁進(jìn)。

劉德音表示，5G技術(shù)同時(shí)帶來(lái)大數(shù)據(jù)及AI運(yùn)算，先進(jìn)制程則讓芯片進(jìn)行更具能源效率的運(yùn)算。例如臺(tái)積電為聯(lián)發(fā)科代工的7nm 5G手機(jī)芯片天璣1000，運(yùn)算效能是12 nm 4G手機(jī)芯片Helio P90的2倍，下載速度更是提升8倍。為超威代工的7 nm第二代EPYC服務(wù)器處理器，運(yùn)算效能是上代14 nm第一代EPYC處理器的2倍以上，但功耗卻反而大幅降低50％。臺(tái)為輝達(dá)代工的7 nm A100繪圖處理器因運(yùn)算效能大幅提升，成本與前代產(chǎn)品相較僅十分之一，耗電量只有前代產(chǎn)品的二十分之一。為賽靈思代工的7 nm Versal ACAP的運(yùn)算效能，幾乎等于22個(gè)16 nm可程序邏輯閘陣列（FPGA）。

劉德音談到，半導(dǎo)體制程微縮正在驅(qū)動(dòng)能源效率的提升，7 nm微縮至5 nm可以提升13％運(yùn)算速度、降低21％功耗，5 nm微縮至3 nm可提升11％運(yùn)算速度及降低27％功耗。而要推動(dòng)制程微縮，除了采用先進(jìn)的極紫外光（EUV）微影技術(shù)，還包括電晶體架構(gòu)及半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新。

劉德音表示，未來(lái)幾年半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入3 nm及更先進(jìn)制程，會(huì)采用新的電力晶體架構(gòu)及材料、更優(yōu)化的EUV技術(shù)、以及新的系統(tǒng)架構(gòu)及3D整合等。臺(tái)積電近日放出3nm量產(chǎn)目標(biāo)，到2022年下半年單月產(chǎn)能提升至5.5萬(wàn)片，2023年單月再達(dá)到10萬(wàn)片。同時(shí)據(jù)wccftech報(bào)道，臺(tái)積電在2nm半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)的研發(fā)方面取得了重要突破，將采用差分晶體管設(shè)計(jì)，有望在2023年中期進(jìn)入2nm工藝的試生產(chǎn)階段，并于一年后開(kāi)始批量生產(chǎn)。