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ROHM納米級輸出電容實現(xiàn)穩(wěn)定控制的Nano Cap?技術(shù)解析

454398 ? 來源:ROHM ? 作者:ROHM ? 2020-12-23 15:04 ? 次閱讀

“Nano Cap?”是一種ROHM自有的電源技術(shù),即使電源電路的輸出電容為納法(nF)級,也可實現(xiàn)穩(wěn)定的控制。以搭載Nano Cap技術(shù)的線性穩(wěn)壓器為例,100nF(0.1μF)的輸出電容就可實現(xiàn)穩(wěn)定工作,因此,通常,只要負(fù)載側(cè)(微控制器等其他IC)的電源引腳上安裝有旁路電容器(通常為100nF),線性穩(wěn)壓器就不再需要輸出電容器。

<搭載Nano Cap技術(shù)的線性穩(wěn)壓器的亮點>

?線性穩(wěn)壓器無需輸出電容器?!?fù)載側(cè)有100nF(0.1μF)電容器的情況。

?與具有低輸出電容優(yōu)勢的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,大幅改善了負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性。

?無需輸出電容器,有助于節(jié)省空間和降低成本。

?未來,在運算放大器LED驅(qū)動器等其他模擬IC中也將采用Nano Cap技術(shù)(部分樣品出售中)。

利用Nano Cap技術(shù)優(yōu)勢,線性穩(wěn)壓器不再需要輸出電容器

Nano Cap技術(shù)是凝聚ROHM“電路設(shè)計”、“布局”、“工藝”三大模擬技術(shù)優(yōu)勢而實現(xiàn)的電源技術(shù)。通過改善模擬電路的響應(yīng)性能,并盡可能地減少內(nèi)部布線和放大器等內(nèi)部電路的寄生因素,能夠?qū)⑤敵鲭娙萜鞯娜葜到抵烈酝夹g(shù)的1/10以下。

比如通過線性穩(wěn)壓器向微控制器供給電源時,傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器通常是在輸出端配置1μF的輸出電容器,在微控制器的電源引腳(最近處)配置100nF(0.1μF)的旁路電容器。而搭載Nano Cap技術(shù)的線性穩(wěn)壓器,僅需微控制器側(cè)的100nF旁路電容器即可實現(xiàn)穩(wěn)定工作。

僅100nF的輸出電容也可顯著改善負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能

來看采用Nano Cap技術(shù)的線性穩(wěn)壓器和以往支持100nF輸出電容的產(chǎn)品的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能比較示例。比較的是輸出電壓為5V、負(fù)載波動為50mA、輸出電容器為1μF時和100nF時的特性。

在輸出電容器為100nF的條件下,以往產(chǎn)品的輸出電壓波動為±15.6%,而采用Nano Cap技術(shù)的產(chǎn)品僅為±3.6%,Nano Cap表現(xiàn)出非常出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)特性。標(biāo)準(zhǔn)的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能要求達(dá)到±5%,可見±3.6%已經(jīng)輕松滿足要求。因此,只要在負(fù)載側(cè)添加有100nF的電容器,采用Nano Cap技術(shù)的產(chǎn)品實質(zhì)上無需輸出電容器即可穩(wěn)定工作。
編輯:hfy

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