本篇主要介紹常用的單端邏輯電平,包括TTL、CMOS、SSTL、HSTL、POD12等。
1、TTL電平
下面以一個(gè)三輸入的TTL與非門(mén)介紹TTL電平的原理。
當(dāng)輸入全1時(shí),uI=3.6V,VT1處于倒置工作狀態(tài)(集電結(jié)正偏,發(fā)射結(jié)反偏),uB1=0.7V×3=2.1V(后級(jí)電路決定的),VT2和VT4飽和,輸出為低電平uO=0.3V。
當(dāng)輸入有0時(shí),uI=0.3V,VT1發(fā)射結(jié)導(dǎo)通,uB1=0.3V+0.7V=1V,VT2和VT4均截止,VT3和VD導(dǎo)通。輸出高電平uO=VCC-UBE3-UD≈5V-0.7V-0.7V=3.6V。
TTL電平一般過(guò)沖都會(huì)比較嚴(yán)重,可以在始端串22歐或33歐電阻(因?yàn)門(mén)TL電路的輸出阻抗大約為17Ω左右,從阻抗匹配的角度解釋?zhuān)籘TL電平輸入腳懸空時(shí)內(nèi)部認(rèn)為是高電平。
常見(jiàn)的TTL電平有5V TTL,3.3V LVTTL,2.5V LVTTL,1.8V LVTTL等。
2、CMOS電平
常見(jiàn)的CMOS電平有5V CMOS,3.3V LVCMOS,2.5V LVCMOS,1.8V LVCMOS,1.5V LVCMOS,1.2V LVCMOS,0.8V LVCMOS等。
CMOS電路輸出高電平是通過(guò)導(dǎo)通PMOS實(shí)現(xiàn)的,輸出低電平是通過(guò)導(dǎo)通NMOS實(shí)現(xiàn)的,PMOS的載流子為空穴,NMOS的載流子為電子,空穴的電導(dǎo)率低于電子,所以PMOS的導(dǎo)通電阻比NMOS的導(dǎo)通電阻大(且相同額定值的PMOS比NMOS貴!?。。?,也就是輸出高電平時(shí)其RC(C為傳輸線等效電容,寄生電容等)時(shí)間常數(shù)大,上升沿更緩,CMOS電路的上升時(shí)間比下降時(shí)間長(zhǎng)。
CMOS器件是電壓控制器件,而未被連接的輸入端有靠近CMOS門(mén)檻電壓輸入的趨勢(shì),使得芯片內(nèi)部的三極管作不必要的開(kāi)關(guān)動(dòng)作,這既增加了噪聲干擾,又耗費(fèi)了系統(tǒng)功率。MOS管輸入阻抗很大(柵極源極之間有一層氧化層),輸入阻抗大,對(duì)微弱信號(hào)的捕捉能力就很強(qiáng)(簡(jiǎn)單地把干擾源等效為一個(gè)理想電壓源和一個(gè)內(nèi)阻的串聯(lián),根據(jù)分壓原理可知輸入電阻越大輸入的分壓越大),所以懸空時(shí)很容易受周?chē)盘?hào)的干擾。一般,使用上拉電阻或下拉電阻,把未被連接的輸入引腳與電源或接地點(diǎn)連接,使它們有一個(gè)確定的電壓值。CMOS輸入引腳的最大輸入電流非常小,只有1μA左右(最多幾μA),因此選用1MΩ作為上拉電阻或下拉電阻就可以。
在許多嵌入式系統(tǒng)中,輸入引腳的有效電壓一般是5V以上或?yàn)樨?fù)值(對(duì)地),在這種情況下,使用幾個(gè)電阻就可以防止輸入引腳過(guò)壓。CMOS集成塊內(nèi)部的兩個(gè)二極管可以把電壓鉗位在CMOS器件輸入電壓值,這兩個(gè)二極管是高速CMOS器件(74HC系列)靜電保護(hù)措施的一部分。
TTL集成電路內(nèi)部都是用雙極型三極管構(gòu)成的,這種電路的輸入電阻一般都不高(7400和74LS00這些門(mén)電路的輸入電流一般都在幾百μA以上,74LS系列的稍小一些),對(duì)外界各種雜波不是很敏感,故不用的輸入端懸空即可(懸空相當(dāng)于高電平?。嗫梢灾苯咏痈唠娖交虻兀ㄒ暰唧w情況而定)。
3、GTL(Gunning Transceiver Logic)電平
GTL輸入電路是一個(gè)電壓比較器,輸入電壓同一個(gè)外部連接的參考電壓進(jìn)行比較,輸入門(mén)限設(shè)計(jì)為精確的窗口電壓,可以提高最大的抗噪性能。輸出電路是一個(gè)漏極開(kāi)路N通道器件,當(dāng)電路關(guān)閉時(shí)輸出電壓被上拉到末端匹配電壓VTT,當(dāng)輸出電路打開(kāi)時(shí),器件可以吸收40mA的電流,可以產(chǎn)生最大的輸出電壓0.4V。輸出電阻為25歐姆,輸入輸出被設(shè)計(jì)為與VCC的電壓獨(dú)立,器件可以工作在5V、3.3V,甚至是2.5V的VCC電壓。
GTL和GTL+信號(hào)的參考電平Vref為信號(hào)上拉電平的2/3,這是同GTL電平的特點(diǎn)相關(guān)的,GTL信號(hào)的低電平一般為上拉電平的1/3左右,當(dāng)GTL信號(hào)的參考電平設(shè)置為上拉電平的2/3時(shí)信號(hào)的高低電平有最大的抗噪冗余量,可以得到最佳的傳輸效果。現(xiàn)在很多廠家提供的GTL芯片的Vref都是可以通過(guò)外部進(jìn)行調(diào)整,提供最佳的信號(hào)傳輸要求。同時(shí)因?yàn)镚TL的輸入閾值電平都很小,可以提供大的噪聲容限,而小的輸出電平提供的信號(hào)變化也很小。這些對(duì)信號(hào)的完整性有利。GTL+的信號(hào)的電平更高,有更大的驅(qū)動(dòng)能力,一般對(duì)于重負(fù)載情況下使用GTL+的效果會(huì)更好一些。
4、SSTL電平
SSTL即Stub Series Termination Logic,分為SSTL_3(3.3V)、SSTL_2(2.5V)、SSTL_18(1.8V)、SSTL_15(1.5V)(對(duì)應(yīng)的VREF=VTT分別為1.5V、1.25V、0.9V、0.75V),對(duì)應(yīng)不同的供電電壓,SSTL是傳輸線終端匹配的,因此SSTL具有輸出阻抗和匹配方法的要求,這使其在高速信號(hào)傳輸時(shí)降低了EMI,改善了建立時(shí)間。SSTL的輸入是一個(gè)差分比較電路,一端為輸入,另一端為參考電壓VREF。DDR使用的就是SSTL電平標(biāo)準(zhǔn)。
SSTL與LVTTL驅(qū)動(dòng)器沒(méi)有太多的不同,但是輸入緩沖卻非常不同。SSTL輸入是差分對(duì),因此輸入級(jí)提供較好的電壓增益以及較穩(wěn)定的閾值電壓,這使得對(duì)小的輸入電壓擺幅具有比較高的可靠性。
STL對(duì)于不同類(lèi)型的驅(qū)動(dòng)器有不同的參數(shù)。SSTL_3和SSTL_2定義了2類(lèi)驅(qū)動(dòng)器,以區(qū)別不同的終端匹配方案。SSTL_18沒(méi)有明確的類(lèi)型定義,但是,取決于終端環(huán)境,驅(qū)動(dòng)器必須能夠在輸入緩沖處產(chǎn)生相應(yīng)的電壓擺幅。
AC參數(shù)指的是一個(gè)閾值電壓,當(dāng)信號(hào)跨越這個(gè)閾值電壓時(shí),接收器狀態(tài)一定會(huì)發(fā)生改變。只要輸入保持在定義的DC閾值之上,接收器將維持邏輯狀態(tài)不變。這有利于系統(tǒng)設(shè)計(jì)者對(duì)整個(gè)系統(tǒng)性能進(jìn)行優(yōu)化。
5、HSTL電平
HSTL即High Speed Transceiver Logic,其最主要用于高速存儲(chǔ)器讀寫(xiě),傳統(tǒng)的慢速存儲(chǔ)器阻礙了高速處理器的運(yùn)算操作。在中頻區(qū)域(100~180MHz),可供選擇的單端信號(hào)IO結(jié)構(gòu)有:HSTL、GTL/GTL+、SSTL、LVTTL;在180MHz以上,HSTL是唯一可用的單端IO接口。QDR使用的就是HSTL電平標(biāo)準(zhǔn)
JEDEC定義了四種驅(qū)動(dòng)模式:Class I~IV,其區(qū)別僅在于輸出電流的不同:
? Class I:IOH≥8mA,IOL≥-8mA;并行終端負(fù)載
? Class II:IOH≥16mA,IOL≥-16mA;串行終端負(fù)載
? Class III:IOH≥8mA,IOL≥-24mA;并行終端負(fù)載
? Class IV:IOH≥8mA,IOL≥-48mA;并行終端負(fù)載
6、POD12電平
POD和SSTL的最大區(qū)別在于接收端的終端電壓(POD為VDDQ,SSTL為VDDQ/2)。POD可以降低寄生引腳電容和I/O終端功耗,并且即使在VDD電壓降低的情況下也能穩(wěn)定工作。
當(dāng)驅(qū)動(dòng)端的上拉電路導(dǎo)通,電路處于高電平時(shí),回路上沒(méi)有電流流過(guò),這樣的設(shè)計(jì)較少了功耗。
除了上述一些常見(jiàn)的單端電平之外,還有BTL、ETL、HSUL等等。詳細(xì)可參見(jiàn)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。
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