未來半導(dǎo)體制造需要怎樣的EDA工具 機器學(xué)習(xí)為EDA帶來什么改變

在20／22nm引入FinFET以后，先進(jìn)工藝變得越來越復(fù)雜。在接下來的發(fā)展中，實現(xiàn)“每兩年將晶體管數(shù)量增加一倍，性能也提升一倍”變得越來越困難。摩爾定律的發(fā)展遇到了瓶頸，先進(jìn)制程前進(jìn)的腳步開始放緩。

但是由于當(dāng)今先進(jìn)電子設(shè)備仍需求先進(jìn)工藝的支持，因此，還有一些晶圓廠還在致力于推動先進(jìn)制程的繼續(xù)發(fā)展。這些晶圓廠與EDA企業(yè)之間的合作，推動了先進(jìn)制程的進(jìn)步。從整體上看，當(dāng)先進(jìn)制程進(jìn)入到14nm/7nm時代后，EDA工具的引入可以縮短研發(fā)周期，尤其是針對后端設(shè)計制造工具的更新，EDA起到了至關(guān)重要的作用。

EDA能夠解決先進(jìn)制程的哪些難題？

對于半導(dǎo)體晶圓代工廠而言，制造是否成功取決于其控制設(shè)計制造工藝窗口的能力，即他們不僅要能夠最大限度地擴大工藝窗口，還要能夠在盡可能短的時間內(nèi)預(yù)防、發(fā)現(xiàn)、評估和修復(fù)熱點。EDA的出現(xiàn)，有效地解決了這些在半導(dǎo)體制造過程中產(chǎn)生的難題。

7nm 以下技術(shù)給半導(dǎo)體制造帶來的挑戰(zhàn)

在眾多EDA工具中，Mentor所推出的Calibre平臺，憑借著出色性能，高準(zhǔn)確性和可靠性，成為了IC物理驗證和制造領(lǐng)域中的領(lǐng)導(dǎo)者，并被全球主流的晶圓廠廣泛采用。

機器學(xué)習(xí)功能為EDA帶來改變

當(dāng)先進(jìn)制程進(jìn)入到10nm以后，在保障良率和性能的情況下，率先推出相關(guān)產(chǎn)品，成為了搶占市場先機的不二法門。在這個過程當(dāng)中，EDA工具也成為了快速推動產(chǎn)品面市的一個因素。

但是由于晶體管密度的增加，使得與之相關(guān)的計算量也增大了數(shù)倍，因此，設(shè)計人員和晶圓代工廠需要IC設(shè)計制造軟件在準(zhǔn)確性和速度方面進(jìn)行更大幅度的改進(jìn)。機器學(xué)習(xí)的出現(xiàn)讓這一難題有了解決方案。機器學(xué)習(xí)能夠分擔(dān)設(shè)計制造過程中耗時費工的任務(wù)，讓產(chǎn)品生產(chǎn)周期縮短、設(shè)計品質(zhì)提高。因此，將機器學(xué)習(xí)功能賦予EDA工具，也被業(yè)界視為是未來EDA的發(fā)展方向之一。

針對這一市場需求，Mentor推出了帶有機器學(xué)習(xí)功能的Calibre IC制造工具。目前，用于IC制造的Calibre工具和應(yīng)用程序已經(jīng)具有完全集成的機器學(xué)習(xí)基礎(chǔ)平臺。Calibre典型的機器學(xué)習(xí)系統(tǒng)包含一個訓(xùn)練模型，目的是通過創(chuàng)建一個準(zhǔn)確的模型，來正確解答IC制造過程中所出現(xiàn)的問題。完成訓(xùn)練后，需要對模型進(jìn)行評估并將其用于推理。所有這些都與Calibre核心架構(gòu)集成在一起，實現(xiàn)無縫協(xié)作。

Calibre架構(gòu)整合了機器學(xué)習(xí)的體系

Calibre平臺助推先進(jìn)節(jié)點的面市

通過具有機器學(xué)習(xí)功能的Calibre平臺，可以對IC制造應(yīng)用進(jìn)行改進(jìn)，包括工藝建模、光學(xué)鄰近效應(yīng)修正（OPC）和光刻友好性設(shè)計（LFD）三個方面。

具體來看，在工藝建模領(lǐng)域，Calibre可以通過機器學(xué)習(xí)提高準(zhǔn)確性。5nm及更小節(jié)點的建模準(zhǔn)確性要求比以往更加嚴(yán)格，將機器學(xué)習(xí)功能賦予EDA工具能夠在準(zhǔn)確度和速度方面上有所保障。Calibre的機器學(xué)習(xí)建模架構(gòu)旨在保留直接捕獲物理現(xiàn)象的信息通道，同時在復(fù)雜性、運行時間和準(zhǔn)確性之間保持平衡。與基準(zhǔn)結(jié)果相比，Calibre機器學(xué)習(xí)模型在不對所測數(shù)據(jù)做任何更改的情況下，可以將模型的準(zhǔn)確性提高多達(dá)40%。

（與傳統(tǒng)工藝模型 （CM1） 相比，NNAM（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)輔助模型）提高了準(zhǔn)確性。）

OPC有助于解決光的局限性，以保持原始設(shè)計在經(jīng)過光刻后，其在硅晶圓上的蝕刻圖像的完整性。Calibre作為OPC工具市場的領(lǐng)導(dǎo)者，也正在將更多的功能賦予這類工具，以支持日漸縮小的工藝技術(shù)路線圖（最新發(fā)展已達(dá) 3 納米節(jié)點）。這種新功能就是機器學(xué)，該功能特別有助于縮短周轉(zhuǎn)時間 （交付生產(chǎn)所需的可制造掩膜需要花費的時間，TAT）。據(jù)Mentor官方介紹顯示，采用了機器學(xué)習(xí)的Calibre OPC將運行時間縮短了3倍。除此之外，機器學(xué)習(xí)OPC還有具有額外的好處，即可以通過被稱為“邊緣放置誤差 （EPE） ”的準(zhǔn)確性指標(biāo)來提高OPC的準(zhǔn)確性。

（機器學(xué)習(xí)縮短了 OPC 運行時間并提高了準(zhǔn)確性）

在10nm及更小節(jié)點上，蝕刻工藝對精確控制關(guān)鍵尺寸（CD）的影響變得非常重要。蝕刻工藝非常復(fù)雜，因此OPC使用了更近似的經(jīng)驗蝕刻模型。Calibre實現(xiàn)了一種適用于刻蝕模型的機器學(xué)習(xí)的新方法，經(jīng)證明，可在準(zhǔn)確性和可預(yù)測性方面實現(xiàn)2-4倍的改進(jìn)。

（使用機器學(xué)習(xí)的蝕刻建模提高了準(zhǔn)確性和可預(yù)測性）

除此以外，10nm以下的光刻熱點檢測運行時間也在持續(xù)增加，設(shè)計人員必須采用新的可制造性設(shè)計（DFM）技術(shù)來加速高級驗證過程。縮短運行時間的方法之一是減少用于仿真的數(shù)據(jù)量。為滿足這一市場需求，Calibre開發(fā)了一種使用機器學(xué)習(xí)的快速、準(zhǔn)確的光刻熱點檢測方法。這種方法即機器學(xué)習(xí)LFD流程，也是一種“快速 LFD”流程，其中仿真區(qū)域的選擇是以經(jīng)訓(xùn)練的機器學(xué)習(xí)模型預(yù)測的位置為依據(jù)。利用此流程，Calibre用戶可體驗到10倍的計算速度提升。

（機器學(xué)習(xí)縮短了 OPC 運行時間并提高了準(zhǔn)確性）

通過以上的結(jié)果表明，將機器學(xué)習(xí)功能賦予EDA可以提升半導(dǎo)體制造的智能化水平和速度。同時，根據(jù)美國國防高級研究計劃局（DARPA）的電子資產(chǎn)智能設(shè)計（IDEA）項目來看，其所要推動的正是EDA工具的發(fā)展，在這個過程中，機器學(xué)習(xí)功能將發(fā)揮重要的作用。由此來看，具有機器學(xué)習(xí)功能的EDA將會成為未來半導(dǎo)體制造中的重要組成部分，Mentor作為其中的一份子，通過了解他所提供的新工具，或許能讓我們洞悉未來半導(dǎo)體制造需要怎樣的EDA工具
編輯：hfy