分析我國(guó)存儲(chǔ)芯片的發(fā)展現(xiàn)狀

據(jù)報(bào)道，2018年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)1620億美元，其中NOR Flash 全球市場(chǎng)規(guī)模約為26億美元（占比為1.6%），NAND Flash全球市場(chǎng)規(guī)模約為610億美元（占比37.65%），DRAM全球市場(chǎng)規(guī)模約為960億美元（占比59.2%）。DRAM，NAND，NOR占據(jù)了所有存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模的98%以上，然而存儲(chǔ)芯片高度壟斷，主要參與者為韓國(guó)和歐美企業(yè)。

全球NAND閃存行業(yè)正處在2D向3D的轉(zhuǎn)進(jìn)期，幾大巨頭將重點(diǎn)都放在了3D的比拼上，未來(lái)沒(méi)有計(jì)劃增加2D的產(chǎn)能，并有可能進(jìn)一步降低2D的生產(chǎn)比重。產(chǎn)業(yè)巨頭逐步放棄中小容量，這就給國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)創(chuàng)造了歷史性的發(fā)展機(jī)遇。

我國(guó)存儲(chǔ)芯片的發(fā)展現(xiàn)狀

近年來(lái)在存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化的政策支持下，隨著產(chǎn)品技術(shù)和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)的不斷積累，部分國(guó)內(nèi)優(yōu)秀廠商已開(kāi)發(fā)出更貼近本土用戶需求的高性價(jià)比存儲(chǔ)產(chǎn)品，我國(guó)幾大做存儲(chǔ)芯片的企業(yè)業(yè)務(wù)模式大致情況如下：

日前半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者采訪到了東芯半導(dǎo)體的助理總經(jīng)理陳磊，談到當(dāng)下存儲(chǔ)芯片的現(xiàn)狀時(shí)，陳總闡述道：“現(xiàn)在國(guó)內(nèi)每年進(jìn)口的半導(dǎo)體產(chǎn)品金額是最大的，而其中，存儲(chǔ)器產(chǎn)品又是最大量的進(jìn)口半導(dǎo)體器件。目前東芯半導(dǎo)體的產(chǎn)品包括NOR FLASH，SLC NAND Flash和DRAM的產(chǎn)品，我們?cè)诖鎯?chǔ)器產(chǎn)品上的布局還是比較全面的?！?/p>

NOR FLASH產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域非常的廣泛，只要你的系統(tǒng)有軟件代碼，就肯定需要或大或小容量的NOR FLASH來(lái)做存儲(chǔ)。從大類(lèi)來(lái)分的話，主要應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)類(lèi)，通訊類(lèi)，電腦，工業(yè)和汽車(chē)這5大領(lǐng)域。

SLC NAND包括SPI NAND目前國(guó)內(nèi)主要應(yīng)用在通訊類(lèi)（GPON， EPON），還有一些視頻監(jiān)控產(chǎn)品也需要低容量的NAND FLASH。

DRAM產(chǎn)品的市場(chǎng)和NOR，NAND的市場(chǎng)非常接近，所以，從產(chǎn)品布局上來(lái)看，東芯半導(dǎo)體非常有優(yōu)勢(shì)，我們可以在終端客戶面前做到“一站式”的存儲(chǔ)器供應(yīng)商的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，中小容量存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將保持在120億-200億美元，其中低容量NAND 60億-100億美元，NOR約30億，低容量DRAM約70億美元。東芯在這3個(gè)領(lǐng)域的布局明顯是看中了其廣闊的市場(chǎng)前景。

盡管?chē)?guó)內(nèi)的內(nèi)存芯片廠商取得了一些成績(jī)，但我們需要清醒地認(rèn)識(shí)到，在核心技術(shù)、市場(chǎng)份額、人才儲(chǔ)備等方面，差距仍然很大。近年來(lái)，很多國(guó)外廠商以知識(shí)產(chǎn)權(quán)等方式壓制國(guó)內(nèi)廠商，這更要求企業(yè)擁有自己的核心技術(shù)。

陳磊講到，整體上來(lái)看，我們國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)器公司和國(guó)外的差距還是非常大的。當(dāng)然，我們國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)企業(yè)在近幾年也都在努力的奮起直追，從產(chǎn)品來(lái)看，我們已經(jīng)在消費(fèi)市場(chǎng)完成了“國(guó)產(chǎn)替代”，在包括智能電視，機(jī)頂盒等領(lǐng)域，現(xiàn)在都是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器的天下，甚至在一些工業(yè)，汽車(chē)方面，我們也都在積極的進(jìn)入。

總體來(lái)看，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求巨大，但目前嚴(yán)重依賴于進(jìn)口；存儲(chǔ)是信息安全的基礎(chǔ)，國(guó)產(chǎn)替代需求空間大；國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策支持下，本土企業(yè)面臨重大發(fā)展機(jī)遇；存儲(chǔ)行業(yè)更新迭代快，對(duì)設(shè)計(jì)能力和制造工藝提出了極高的要求，屬于技術(shù)、人才、資金高度密集型行業(yè)，進(jìn)入門(mén)檻相當(dāng)高，本土參與企業(yè)非常稀少；所以發(fā)展存儲(chǔ)芯片已經(jīng)成為國(guó)家繁榮富強(qiáng)的重中之重。

發(fā)展存儲(chǔ)芯片的重要性

存儲(chǔ)芯片是電子信息領(lǐng)域的重大戰(zhàn)略性支柱產(chǎn)品，是應(yīng)用面最廣、市場(chǎng)比例最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。對(duì)電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、智慧產(chǎn)業(yè)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的重要性與日俱增。

發(fā)展存儲(chǔ)芯片的三大原因：

必要性：存儲(chǔ)芯片是電子系統(tǒng)的糧倉(cāng)，數(shù)據(jù)的載體，關(guān)乎數(shù)據(jù)的安全；其市場(chǎng)規(guī)模足夠大，約占半導(dǎo)體總體市場(chǎng)的三分之一。

安全性：存儲(chǔ)芯片非常重要，但目前存儲(chǔ)芯片中NAND、DRAM我國(guó)自給率幾乎為零。

緊急性：我國(guó)在存儲(chǔ)芯片上的進(jìn)口總額高達(dá)880億美元，對(duì)外依賴度超過(guò)90%。

前幾年，內(nèi)存漲價(jià)一直是困擾很多國(guó)內(nèi)電子廠商的“心病”，由于存儲(chǔ)芯片的國(guó)產(chǎn)化很低，導(dǎo)致很多國(guó)外廠商瘋狂漲價(jià)，對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈影響很大。存儲(chǔ)芯片又被稱(chēng)為電子產(chǎn)品的“糧食”，能占產(chǎn)品成本的二成左右，在競(jìng)爭(zhēng)激烈的電子產(chǎn)業(yè)鏈里面，沒(méi)有核心技術(shù)的企業(yè)，就容易被人扼住喉嚨。另外，發(fā)展存儲(chǔ)芯片還可助力“大國(guó)”崛起，提升國(guó)際話語(yǔ)權(quán)。從國(guó)家的一些政策就可以看出其重要性。

自2000年開(kāi)始，國(guó)家的政策就在積極鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)的發(fā)展，2000年和2011年先后出臺(tái)了《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》、《進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》，其主要內(nèi)容包括財(cái)稅政策、投融資政策、研究開(kāi)發(fā)政策、進(jìn)出口政策、人才政策、知識(shí)產(chǎn)權(quán)政策、市場(chǎng)政策等，對(duì)推動(dòng)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展發(fā)揮了重要作用。

2014年6月國(guó)務(wù)院印發(fā)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，設(shè)立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，解決了制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的投資瓶頸問(wèn)題，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入跨越式發(fā)展的歷史時(shí)期。

2014年9月國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立之后，即投資近400億元入股長(zhǎng)江存儲(chǔ)，兆易創(chuàng)新和合肥長(zhǎng)鑫等，占其首期募資1387億元的近30%，體現(xiàn)了國(guó)家對(duì)發(fā)展本土存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的高度重視。

2015年5月國(guó)務(wù)院印發(fā)《中國(guó)制造2025》的通知，將集成電路產(chǎn)業(yè)列為10大戰(zhàn)略發(fā)展產(chǎn)業(yè)的首位，要求著力提升集成電路設(shè)計(jì)水平，突破關(guān)系國(guó)家信息與網(wǎng)絡(luò)安全及電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心通用芯片，提升國(guó)產(chǎn)芯片的應(yīng)用適配能力。

2017年大基金啟動(dòng)第二步規(guī)劃，重點(diǎn)布局國(guó)家戰(zhàn)略和新興行業(yè)，進(jìn)一步推動(dòng)投融資與產(chǎn)業(yè)發(fā)展形成合力。

存儲(chǔ)芯片的發(fā)展是未來(lái)國(guó)家戰(zhàn)略的一部分，企業(yè)除了閉門(mén)造車(chē)，也得時(shí)刻關(guān)注政策、市場(chǎng)變化，通過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈引導(dǎo)來(lái)滿足更多規(guī)模的應(yīng)用，只有讓相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)享受到經(jīng)濟(jì)收益，才能發(fā)揮存儲(chǔ)芯片的價(jià)值，做出最有市場(chǎng)價(jià)值的存儲(chǔ)芯片。

東芯的存儲(chǔ)之路

鑒于歐美韓占據(jù)了存儲(chǔ)大部分的市場(chǎng)規(guī)模，再加之新一代萬(wàn)億藍(lán)海物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備需要大量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和傳輸，中小容量存儲(chǔ)芯片將更合適物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的需要。所以現(xiàn)在國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)企業(yè)大都避開(kāi)巨頭，在中小容量存儲(chǔ)芯片發(fā)力。

東芯是一家Fabless芯片企業(yè)，聚焦中小容量NAND、NOR閃存芯片、DRAM內(nèi)存及MCP的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，是目前國(guó)內(nèi)唯一可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM/MCP設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。

2014年11月，東芯半導(dǎo)體有限公司成立

2014年12月，與中芯國(guó)際共同開(kāi)發(fā)24nm工藝制程的NAND Flash

2015年4月，收購(gòu)Fidelix ，成為其第一大股東

2015年10月，國(guó)內(nèi)首顆1G SPI NAND芯片，在中芯國(guó)際38nm工藝生產(chǎn)線上成功流片

2016年7月，國(guó)內(nèi)首顆4G SLC NAND芯片，在中芯國(guó)際24nm工藝生產(chǎn)線上成功流片

2016年09月 ， 11月，獲得上海市科委舉辦的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽一等獎(jiǎng)，獲得上海市高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定

2017年03月，獲得上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)理事單位榮譽(yù)，50nm Wide-range NOR Flash 在武漢新芯成功流片

2017年04月，自主研發(fā)的16Gb MLC NAND Flash系列芯片獲得上海市經(jīng)信委軟件和集成電路專(zhuān)項(xiàng)資金支持

2017年09月，國(guó)內(nèi)首顆 2G SPI NAND芯片在中芯國(guó)際 38nm 工藝生產(chǎn)線成功流片

現(xiàn)在，東芯半導(dǎo)體不僅是行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，而且多次縮小了國(guó)家存儲(chǔ)芯片IC設(shè)計(jì)能力與國(guó)際領(lǐng)先水平的差距?！皷|芯半導(dǎo)體雖然成立時(shí)間不長(zhǎng)，但是我們整個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)，IP有過(guò)往二十多年的經(jīng)驗(yàn)和積累，這個(gè)是國(guó)內(nèi)的很多初創(chuàng)團(tuán)隊(duì)不具備的。包括產(chǎn)品質(zhì)量，和晶圓廠的工藝參數(shù)的磨合，在產(chǎn)品交付，全球大客戶的合作上，我們都非常的有優(yōu)勢(shì)。目前，我們?cè)趪?guó)內(nèi)合作的晶圓廠，都非常期待和我們一起開(kāi)發(fā)新工藝，新產(chǎn)品，大家一起合作，努力把國(guó)內(nèi)的整個(gè)存儲(chǔ)器行業(yè)提升到新的高度?！睎|芯半導(dǎo)體助理總經(jīng)理陳磊日前在接受半導(dǎo)體行業(yè)觀察時(shí)談到。

陳磊還講到，東芯的芯片應(yīng)用領(lǐng)域集中在消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品，比如智能電視，機(jī)頂盒，穿戴式產(chǎn)品等，還有網(wǎng)絡(luò)通訊產(chǎn)品，如我們每家每戶都需要用的上網(wǎng)的光貓。我們也在進(jìn)入工業(yè)和汽車(chē)的市場(chǎng)，這些市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品各方面要求高，包括質(zhì)量，產(chǎn)品交付，而且設(shè)計(jì)周期長(zhǎng)，但是這是我們必須要做的前期工作。

東芯半導(dǎo)體致力于大力發(fā)展具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片技術(shù)并積極開(kāi)拓國(guó)內(nèi)市場(chǎng)應(yīng)用，迅速提升中國(guó)在Memory行業(yè)的設(shè)計(jì)研發(fā)能力。對(duì)此，東芯采取了一系列的業(yè)務(wù)發(fā)展戰(zhàn)略。

東芯采取的產(chǎn)品戰(zhàn)略是，避開(kāi)和大公司廣譜產(chǎn)品進(jìn)行全線競(jìng)爭(zhēng)，聚焦中小容量閃存市場(chǎng)的開(kāi)拓，充分發(fā)揮公司的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和研發(fā)能力，提升產(chǎn)品性價(jià)比，抓住存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)口的市場(chǎng)機(jī)會(huì)，快速成長(zhǎng)為閃存尤其是NAND閃存領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。

從市場(chǎng)來(lái)看，東芯深入研究用戶需求，加大差異化定制產(chǎn)品的比重，增強(qiáng)客戶粘性，逐步成為各主要應(yīng)用市場(chǎng)主導(dǎo)公司的核心品牌供應(yīng)商。

研發(fā)上，東芯堅(jiān)持自主研發(fā)保持公司在國(guó)內(nèi)小容量NAND， NOR， DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，在不斷提升和完善38nm&24nm NAND ，48nm NOR 閃存產(chǎn)品品質(zhì)的前提下，積極開(kāi)展1xnm NAND閃存的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，達(dá)到國(guó)際最先進(jìn)生產(chǎn)水平，目前已取得105項(xiàng)專(zhuān)利。

生產(chǎn)方面，和晶圓代工、封裝測(cè)試龍頭企業(yè)建立穩(wěn)定而深入的戰(zhàn)略合作關(guān)系，實(shí)現(xiàn)互利共贏。

資本方面，充分利用資本市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展，為長(zhǎng)期可持續(xù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

在談到東芯未來(lái)的3-5年規(guī)劃時(shí)，陳磊談到，公司首先還是要做好產(chǎn)品的品質(zhì)，這個(gè)是我們的立足根本。在NOR FLASH領(lǐng)域，產(chǎn)品發(fā)展已經(jīng)做的很完善了。我們目前著眼于NAND FLASH，包括大容量的NAND FLASH的產(chǎn)品布局，還有就是我們的DRAM產(chǎn)品，我們希望可以在后兩者上多下苦功，給我們的客戶帶來(lái)更多EPN，更有性價(jià)比的產(chǎn)品，幫助我們的客戶實(shí)現(xiàn)更多的設(shè)計(jì)功能。

存儲(chǔ)技術(shù)未來(lái)該如何發(fā)展？陳磊認(rèn)為：“全球范圍對(duì)新的存儲(chǔ)器技術(shù)的研發(fā)一直沒(méi)有停止過(guò)，我們現(xiàn)在看到的，比如3D Xpoint，RRAM，F(xiàn)eRAM，MRAM， PCM等都是過(guò)去數(shù)十年的投入，到今天才算開(kāi)花結(jié)果?，F(xiàn)在國(guó)內(nèi)也有公司在做新一代的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，包括和海外合作。簡(jiǎn)單的說(shuō)，新一代存儲(chǔ)器要解決的問(wèn)題，就是“非掉電易失性”和容量/性能的問(wèn)題。我們需要更大容量，更高密度的存儲(chǔ)器，同時(shí)性能（讀寫(xiě)速度，擦寫(xiě)次數(shù)，功耗等）也要更好。在一些特定產(chǎn)品領(lǐng)域，如嵌入式（主要是微控制器），新一代的存儲(chǔ)器也要考慮工藝制程的微縮，現(xiàn)在最新的邏輯工藝可以做到7nm，甚至5nm，那存儲(chǔ)器的工藝如何跟上，這方面譬如MRAM， RRAM都是比較適合的。”
責(zé)任編輯：tzh